Ohun alumọni nitride iwe adehun ohun alumọni carbide
Si3N4 bonded SiC seramiki refractory awọn ohun elo ti, ti wa ni adalu pẹlu ga funfun SIC itanran lulú ati Silicon lulú, lẹhin isokuso dajudaju, lenu sintered labẹ 1400 ~ 1500 ° C.Lakoko iṣẹ ikẹkọ, kikun Nitrogen mimọ giga sinu ileru, lẹhinna ohun alumọni yoo fesi pẹlu Nitrogen ati ṣe ipilẹṣẹ Si3N4, Nitorinaa ohun elo Si3N4 ti o ni asopọ siC jẹ ti ohun alumọni nitride (23%) ati ohun alumọni carbide (75%) bi ohun elo aise akọkọ. , ti a dapọ pẹlu ohun elo Organic, ati apẹrẹ nipasẹ adalu, extrusion tabi idasonu, lẹhinna ṣe lẹhin gbigbẹ ati nitrogenization.
Awọn ẹya ara ẹrọ ati awọn anfani:
1.High otutu ifarada
2.High thermal conductivity ati mọnamọna resistance
3.High darí agbara ati abrasion resistance
4.Excellent agbara agbara ati ipata resistance
A pese awọn ohun elo seramiki NSiC ti o ga didara ati pipe ti o ṣe ilana nipasẹ
1.Slip simẹnti
2.Extruding
3.Uni Axial Titẹ
4.Isostatic Titẹ
Iwe Data Ohun elo
> Iṣọkan Kemikali | Sic | 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
Ọfẹ Si | 0% | |
Ìwọ̀n ńlá (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
Owu ti o han gbangba (%) | 12~15 | |
Agbara tẹ ni 20 ℃ (MPa) | 180~190 | |
Agbara tẹ ni 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
Agbara tẹ ni 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
Agbara titẹ ni 20 ℃ (MPa) | 580 | |
Imudara igbona ni 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
Olusọdipúpọ igbona ni1200 ℃(x 10-6/C) | 4.70 | |
Gbona mọnamọna resistance | O tayọ | |
O pọju.iwọn otutu (℃) | 1600 |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd jẹ olutaja oludari ti awọn ohun elo semikondokito to ti ni ilọsiwaju ati olupese nikan ni Ilu China ti o le pese nigbakanna seramiki ohun alumọni ohun alumọni mimọ (paapaa SiC Recrystallized) ati ibora CVD SiC.Ni afikun, ile-iṣẹ wa tun ṣe adehun si awọn aaye seramiki bii alumina, nitride aluminiomu, zirconia, ati silikoni nitride, ati bẹbẹ lọ.
Awọn ọja akọkọ wa pẹlu: ohun alumọni carbide etching disiki, ohun alumọni carbide ọkọ gbigbe, silikoni carbide wafer ọkọ (Photovoltaic&Semiconductor), silikoni carbide ileru tube, silikoni carbide cantilever paddle, silikoni carbide chucks, silicon carbide beam, bi daradara bi awọn CVD SiC bota ati TaC ti a bo.Awọn ọja ti a lo ni akọkọ ni semikondokito ati awọn ile-iṣẹ fọtovoltaic, gẹgẹbi ohun elo fun idagbasoke gara, epitaxy, etching, apoti, ibora ati awọn ileru itankale, ati bẹbẹ lọ.
Ile-iṣẹ wa ni awọn ohun elo iṣelọpọ pipe gẹgẹbi idọti, sintering, processing, ohun elo ti a bo, ati bẹbẹ lọ, eyiti o le pari gbogbo awọn ọna asopọ pataki ti iṣelọpọ ọja ati ni iṣakoso giga ti didara ọja;Eto iṣelọpọ ti o dara julọ le yan ni ibamu si awọn iwulo ọja naa, ti o mu abajade idiyele kekere ati pese awọn alabara pẹlu awọn ọja ifigagbaga diẹ sii;A le ni irọrun ati ṣiṣe iṣeto iṣelọpọ ti o da lori awọn ibeere ifijiṣẹ aṣẹ ati ni apapo pẹlu awọn eto iṣakoso aṣẹ ori ayelujara, pese awọn alabara ni iyara ati akoko ifijiṣẹ ẹri diẹ sii.