3C-SiC Wafer sobusitireti

Apejuwe kukuru:

Awọn sobusitireti Semicera 3C-SiC Wafer nfunni ni adaṣe igbona giga ati foliteji didenukole itanna giga, apẹrẹ fun itanna agbara ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga. Awọn sobusitireti wọnyi jẹ iṣẹ-iṣe deede fun iṣẹ ṣiṣe to dara julọ ni awọn agbegbe lile, ni idaniloju igbẹkẹle ati ṣiṣe. Yan Semicera fun imotuntun ati awọn solusan ilọsiwaju.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicera 3C-SiC Wafer Substrates jẹ iṣẹ-ṣiṣe lati pese pẹpẹ ti o lagbara fun ẹrọ itanna agbara iran-tẹle ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga. Pẹlu awọn ohun-ini igbona giga ati awọn abuda itanna, awọn sobusitireti wọnyi jẹ apẹrẹ lati pade awọn ibeere ibeere ti imọ-ẹrọ ode oni.

Eto 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ti Semicera Wafer Substrates nfunni ni awọn anfani alailẹgbẹ, pẹlu adaṣe igbona ti o ga julọ ati imugboroja igbona kekere kan ni akawe si awọn ohun elo semikondokito miiran. Eyi jẹ ki wọn jẹ yiyan ti o tayọ fun awọn ẹrọ ti n ṣiṣẹ labẹ awọn iwọn otutu ati awọn ipo agbara-giga.

Pẹlu foliteji didenukole itanna giga ati iduroṣinṣin kemikali giga, Semicera 3C-SiC Wafer Substrates ṣe idaniloju iṣẹ ṣiṣe pipẹ ati igbẹkẹle. Awọn ohun-ini wọnyi ṣe pataki fun awọn ohun elo bii radar-igbohunsafẹfẹ giga, ina-ipinle ti o lagbara, ati awọn oluyipada agbara, nibiti ṣiṣe ati agbara jẹ pataki julọ.

Ifaramo ti Semicera si didara jẹ afihan ninu ilana iṣelọpọ ti oye ti Awọn sobusitireti Wafer 3C-SiC wọn, ni idaniloju isokan ati aitasera kọja gbogbo ipele. Itọkasi yii ṣe alabapin si iṣẹ gbogbogbo ati igbesi aye gigun ti awọn ẹrọ itanna ti a ṣe sori wọn.

Nipa yiyan Semicera 3C-SiC Wafer Substrates, awọn aṣelọpọ ni iraye si ohun elo gige-eti ti o jẹ ki idagbasoke ti kere, yiyara, ati awọn paati itanna daradara diẹ sii. Semicera tẹsiwaju lati ṣe atilẹyin ĭdàsĭlẹ imọ-ẹrọ nipa ipese awọn iṣeduro ti o gbẹkẹle ti o pade awọn ibeere idagbasoke ti ile-iṣẹ semikondokito.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ogun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli osan / pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / ṣẹ egungun / hex farahan

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akopọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: