CVD SiC Aso
Silikoni carbide (SiC) epitaxy
Atẹ epitaxial, eyiti o di sobusitireti SiC mu fun dida bibẹ pẹlẹbẹ SiC epitaxial, ti a gbe sinu iyẹwu ifura ati kan si wafer taara.
Apakan oṣupa oke jẹ ti ngbe fun awọn ẹya ẹrọ miiran ti iyẹwu ifaseyin ti ohun elo Sic epitaxy, lakoko ti apakan idaji oṣupa isalẹ ti sopọ si tube quartz, n ṣafihan gaasi lati wakọ ipilẹ susceptor lati yiyi.wọn jẹ iṣakoso iwọn otutu ati fi sori ẹrọ ni iyẹwu ifura laisi olubasọrọ taara pẹlu wafer.
Nipa epitaxy
Atẹ naa, eyiti o di sobusitireti Si mu fun dida bibẹ pẹlẹbẹ Si epitaxial, ti a gbe sinu iyẹwu ifura ati kan si wafer taara.
Iwọn iṣaju iṣaju naa wa lori oruka ita ti Si epitaxial sobusitireti atẹ ati pe a lo fun isọdiwọn ati alapapo.O ti wa ni gbe ni lenu iyẹwu ati ki o ko taara kan si wafer.
Apọju epitaxial, eyiti o di sobusitireti Si mu fun dida bibẹ ege Si epitaxial kan, ti a gbe sinu iyẹwu ifura ati kan si wafer taara.
Agba Epitaxial jẹ awọn paati bọtini ti a lo ni ọpọlọpọ awọn ilana iṣelọpọ semikondokito, ni gbogbogbo ti a lo ninu ohun elo MOCVD, pẹlu iduroṣinṣin igbona ti o dara julọ, resistance kemikali ati yiya resistance, o dara pupọ fun lilo ninu awọn ilana iwọn otutu giga.O kan si awọn wafers.
| 重结晶碳化硅物理特性 Awọn ohun-ini ti ara ti Silicon Carbide Recrystallized | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye Aṣoju |
| 使用温度 / Iwọn otutu ti nṣiṣẹ (°C) | 1600°C (pẹlu atẹgun), 1700°C (idinku ayika) |
| SiC 含量 / SiC akoonu | > 99.96% |
| 自由 Si 含量 / Si akoonu ọfẹ | <0.1% |
| 体积密度 / Olopobobo iwuwo | 2,60-2,70 g / cm3 |
| 气孔率 / Porosity ti o han gbangba | <16% |
| 抗压强度 / Agbara funmorawon | > 600 MPa |
| 常温抗弯强度 / Agbara atunse tutu | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度 Agbara atunse gbigbona | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数 / Imudara igbona @1200°C | 23 W/m•K |
| 杨氏模量 / modulus rirọ | 240 GPA |
| 抗热震性 / Idaabobo gbigbona | O dara pupọ |
| 烧结碳化硅物理特性 Awọn ohun-ini ti ara ti Sintered Silicon Carbide | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye Aṣoju |
| 化学成分 / Kemikali Tiwqn | SiC>95%, Si <5% |
| 体积密度 / Dinsity olopobobo | >3.07 g/cm³ |
| 显气孔率 / Porosity ti o han gbangba | <0.1% |
| 常温抗弯强度 / Modulu ti rupture ni 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度 / Modulu ti rupture ni 1200℃ | 290 MPa |
| 硬度 / Lile ni 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| 断裂韧性 / Ipa lile lile ni 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| 导热系数 / Imudara Ooru ni 1200℃ | 45 w/m .K |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi gbona ni 20-1200℃ | 4.5 1 ×10 -6/℃ |
| 最高工作温度 / Iwọn otutu ti o pọju | 1400 ℃ |
| 热震稳定性 / Itoju mọnamọna gbona ni 1200℃ | O dara |
| CVD SiC 薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti awọn fiimu CVD SiC | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye Aṣoju |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC β polycrystalline alakoso, nipataki (111) Oorun |
| 密度 / iwuwo | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Lile 2500 | 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Ọkà SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kẹmika Mimọ | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 · kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu Sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Agbara Flexural | 415 MPa RT 4-ojuami |
| Modulus 杨氏模量 / Young's Modul | 430 Gpa 4pt tẹ, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Imudara Ooru | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona(CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
Aso Erogba Pyrolytic
Awọn ẹya akọkọ
Ilẹ jẹ ipon ati laisi awọn pores.
Iwa mimọ to gaju, akoonu alaimọ lapapọ <20ppm, airtightness to dara.
Idaabobo iwọn otutu giga, agbara pọ si pẹlu iwọn otutu lilo ti o pọ si, de iye ti o ga julọ ni 2750 ℃, sublimation ni 3600 ℃.
Modulu rirọ kekere, adaṣe igbona giga, alasọdipúpọ igbona kekere, ati resistance mọnamọna gbona to dara julọ.
Iduroṣinṣin kemikali ti o dara, sooro si acid, alkali, iyọ, ati awọn reagents Organic, ati pe ko ni ipa lori awọn irin didà, slag, ati awọn media ipata miiran.Ko ṣe oxidize ni pataki ni oju-aye ni isalẹ 400 C, ati pe oṣuwọn ifoyina pọ si ni pataki ni 800 ℃.
Laisi itusilẹ eyikeyi gaasi ni awọn iwọn otutu giga, o le ṣetọju igbale ti 10-7mmHg ni ayika 1800°C.
Ohun elo ọja
Yo crucible fun evaporation ni semikondokito ile ise.
Ga agbara itanna tube ẹnu-bode.
Fẹlẹ ti o kan si olutọsọna foliteji.
Lẹẹdi monochromator fun X-ray ati neutroni.
Orisirisi awọn apẹrẹ ti awọn sobusitireti lẹẹdi ati ideri tube gbigba atomiki.
Ipa ti a bo erogba Pyrolytic labẹ maikirosikopu 500X, pẹlu dada ti o wa ni mimu ati ididi.
CVD Tantalum Carbide aso
Iboju TaC jẹ ohun elo sooro iwọn otutu ti iran tuntun, pẹlu iduroṣinṣin iwọn otutu to dara julọ ju SiC.Bi awọn kan ipata-sooro bo, egboogi-ifoyina bo ati wọ-sooro bo, le ṣee lo ni awọn ayika loke 2000C, o gbajumo ni lilo ni Ofurufu olekenka-ga otutu gbona opin awọn ẹya ara, awọn kẹta iran semikondokito nikan gara idagbasoke aaye.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 Awọn ohun-ini ti ara ti ibora TaC | |
| 密度/ Ìwúwo | 14.3 (g/cm3) |
| 比辐射率 /Ijadejade kan pato | 0.3 |
| 热膨胀系数/ olùsọdipúpọ̀ ìmúgbòòrò gbóná | 6.3 10/K |
| 努氏硬度 / Lile (HK) | 2000 HK |
| 电阻/ Resistance | 1x10-5 Ohm * cm |
| 热稳定性 /Iduroṣinṣin gbona | <2500℃ |
| 石墨尺寸变化/Ayipada iwọn Graphite | -10 ~-20um |
| 涂层厚度/Abo sisanra | ≥220um iye aṣoju (35um± 10um) |
Silicon Carbide (CVD SiC)
Awọn ẹya CARBIDE ti o lagbara ti CVD SILICON ni a mọ bi yiyan akọkọ fun awọn oruka RTP / EPI ati awọn ipilẹ ati awọn ẹya inu pilasima etch ti o ṣiṣẹ ni eto giga ti o nilo awọn iwọn otutu iṣẹ (> 1500 ° C), awọn ibeere fun mimọ ga julọ (> 99.9995%) ati pe iṣẹ naa dara paapaa nigbati awọn kemikali tol resistance jẹ giga julọ.Awọn ohun elo wọnyi ko ni awọn ipele keji ni eti ọkà, nitorinaa awọn paati wọn ṣe agbejade awọn patikulu diẹ ju awọn ohun elo miiran lọ.Ni afikun, awọn paati wọnyi le di mimọ nipa lilo HF/HCI gbona pẹlu ibajẹ kekere, ti o fa awọn patikulu diẹ ati igbesi aye iṣẹ to gun.
