4″6″ 8″ N-iru SiC Ingot

Apejuwe kukuru:

Semicera's 4 ″, 6″, ati 8″ N-Iru SiC Ingots jẹ okuta igun ile fun awọn ohun elo semikondokito-igbohunsafẹfẹ giga. Nfunni awọn ohun-ini itanna ti o ga julọ ati adaṣe igbona, awọn ingots wọnyi jẹ iṣelọpọ lati ṣe atilẹyin iṣelọpọ ti igbẹkẹle ati awọn paati itanna to munadoko. Gbekele Semicera fun didara ti ko baramu ati iṣẹ.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicera's 4 ", 6", ati 8" N-type SiC Ingots ṣe aṣoju aṣeyọri ni awọn ohun elo semikondokito, ti a ṣe apẹrẹ lati pade awọn ibeere ti npo si ti itanna igbalode ati awọn ọna ṣiṣe agbara. Awọn ingots wọnyi n pese ipilẹ to lagbara ati iduroṣinṣin fun ọpọlọpọ awọn ohun elo semikondokito, ni idaniloju pe o dara julọ. išẹ ati longevity.

Awọn ingots SiC Iru N-iru wa ni a ṣe ni lilo awọn ilana iṣelọpọ ilọsiwaju ti o mu imudara itanna wọn pọ si ati iduroṣinṣin gbona. Eyi jẹ ki wọn jẹ apẹrẹ fun agbara-giga ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga, gẹgẹbi awọn inverters, transistors, ati awọn ẹrọ itanna agbara miiran nibiti ṣiṣe ati igbẹkẹle jẹ pataki julọ.

Doping kongẹ ti awọn ingots wọnyi ṣe idaniloju pe wọn funni ni iṣẹ deede ati atunṣe. Aitasera yii ṣe pataki fun awọn olupilẹṣẹ ati awọn aṣelọpọ ti n titari awọn aala ti imọ-ẹrọ ni awọn aaye bii afẹfẹ, ọkọ ayọkẹlẹ, ati awọn ibaraẹnisọrọ. Semicera's SiC ingots jẹ ki iṣelọpọ awọn ẹrọ ti o ṣiṣẹ daradara labẹ awọn ipo to gaju.

Yiyan Semicera's N-type SiC Ingots tumọ si sisọpọ awọn ohun elo ti o le mu awọn iwọn otutu giga ati awọn ẹru itanna giga pẹlu irọrun. Awọn ingots wọnyi ni ibamu ni pataki fun ṣiṣẹda awọn paati ti o nilo iṣakoso igbona to dara julọ ati iṣẹ-igbohunsafẹfẹ giga, gẹgẹbi awọn amplifiers RF ati awọn modulu agbara.

Nipa jijade fun Semicera's 4", 6”, ati 8” N-type SiC Ingots, o n ṣe idoko-owo ni ọja kan ti o ṣajọpọ awọn ohun-ini ohun elo alailẹgbẹ pẹlu konge ati igbẹkẹle ti a beere nipasẹ awọn imọ-ẹrọ semikondokito gige-eti. Semicera tẹsiwaju lati dari ile-iṣẹ naa nipasẹ pese awọn solusan imotuntun ti o wakọ ilọsiwaju ti iṣelọpọ ẹrọ itanna.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ogun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli osan / pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / ṣẹ egungun / hex farahan

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akopọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: