6 lnch n-type sic sobusitireti

Apejuwe kukuru:

6-inch n-type SiC substrate‌ jẹ ohun elo semikondokito ti a ṣe afihan nipasẹ lilo iwọn wafer 6-inch, eyiti o pọ si nọmba awọn ẹrọ ti o le ṣejade lori wafer kan lori agbegbe dada ti o tobi, nitorinaa idinku awọn idiyele ipele ẹrọ . Idagbasoke ati ohun elo ti 6-inch n-type SiC substrates ni anfani lati ilọsiwaju ti awọn imọ-ẹrọ gẹgẹbi ọna idagbasoke RAF, eyiti o dinku awọn iyọkuro nipasẹ gige awọn kirisita pẹlu awọn dislocations ati awọn itọnisọna ti o jọra ati awọn kirisita ti o tun dagba, nitorinaa imudarasi didara ti sobusitireti. Ohun elo ti sobusitireti yii jẹ pataki nla si imudarasi iṣelọpọ iṣelọpọ ati idinku awọn idiyele ti awọn ẹrọ agbara SiC.


Alaye ọja

ọja Tags

Silicon carbide (SiC) ohun elo kirisita ẹyọkan ni iwọn aafo ẹgbẹ nla kan (~ Si awọn akoko 3), iba ina gbigbona giga (~ Si awọn akoko 3.3 tabi awọn akoko GaAs awọn akoko 10), oṣuwọn ijira itẹlọrun elekitironi giga (~ Awọn akoko 2.5), ina didenukole giga aaye (~ Si 10 igba tabi GaAs 5 igba) ati awọn miiran dayato si abuda.

Awọn ohun elo semikondokito iran kẹta ni akọkọ pẹlu SiC, GaN, diamond, ati bẹbẹ lọ, nitori iwọn aafo ẹgbẹ rẹ (Fun apẹẹrẹ) tobi ju tabi dogba si 2.3 volts elekitironi (eV), ti a tun mọ ni awọn ohun elo aafo jakejado band. Ti a ṣe afiwe pẹlu awọn ohun elo semikondokito iran akọkọ ati keji, awọn ohun elo semikondokito iran kẹta ni awọn anfani ti ina elekitiriki giga, aaye ina gbigbẹ giga, oṣuwọn ijira elekitironi ti o ga ati agbara isunmọ giga, eyiti o le pade awọn ibeere tuntun ti imọ-ẹrọ itanna igbalode fun giga. iwọn otutu, agbara giga, titẹ giga, igbohunsafẹfẹ giga ati resistance itankalẹ ati awọn ipo lile miiran. O ni awọn ifojusọna ohun elo pataki ni awọn aaye ti aabo orilẹ-ede, ọkọ oju-ofurufu, afẹfẹ, iṣawari epo, ibi ipamọ opiti, ati bẹbẹ lọ, ati pe o le dinku pipadanu agbara nipasẹ diẹ sii ju 50% ni ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ ilana gẹgẹbi awọn ibaraẹnisọrọ gbooro, agbara oorun, iṣelọpọ ọkọ ayọkẹlẹ, ina semikondokito, ati akoj smart, ati pe o le dinku iwọn ohun elo nipasẹ diẹ sii ju 75%, eyiti o jẹ pataki pataki fun idagbasoke imọ-ẹrọ ati imọ-ẹrọ eniyan.

Agbara Semicera le pese awọn alabara pẹlu Didara Didara to gaju (Conductive), Ologbele-idabobo (Semi-insulating), HPSI (High Purity ologbele-insulating) sobusitireti silikoni carbide; Ni afikun, a le pese awọn onibara pẹlu isokan ati orisirisi silikoni carbide epitaxial sheets; A tun le ṣe akanṣe iwe epitaxial ni ibamu si awọn iwulo pataki ti awọn alabara, ati pe ko si iwọn aṣẹ ti o kere ju.

Ipilẹ ọja ni pato

Iwọn 6-inch
Iwọn opin 150.0mm + 0mm / -0.2mm
Dada Iṣalaye pipa-apa: 4 ° si <1120> ± 0.5 °
Primary Flat Gigun 47.5mm1.5 mm
Primary Flat Iṣalaye <1120>±1.0°
Atẹle Flat Ko si
Sisanra 350.0um ± 25.0um
Polytype 4H
Conductive Iru n-iru

CRYSTAL didara ni pato

6-inch
Nkan Iye owo ti P-MOS P-SBD ite
Resistivity 0.015Ω · cm-0.025Ω · cm
Polytype Ko si igbanilaaye
Iwuwo Micropipe ≤0.2/cm2 ≤0.5/cm2
EPD ≤4000/cm2 ≤8000/cm2
TED ≤3000/cm2 ≤6000/cm2
BPD ≤1000/cm2 ≤2000/cm2
TSD ≤300/cm2 ≤1000/cm2
SF(Adiwọn nipasẹUV-PL-355nm) ≤0.5% agbegbe ≤1% agbegbe
Awọn awo Hex nipasẹ ina kikankikan giga Ko si igbanilaaye
Awọn ifisi Carbon wiwo nipasẹ ina kikankikan giga Apapọ agbegbe≤0.05%
微信截图_20240822105943

Resistivity

Polytype

6 lnch n-iru sic sobusitireti (3)
6 lnch n-iru sic sobusitireti (4)

BPD&TSD

6 lnch n-iru sic sobusitireti (5)
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: