Semiceraṣafihan awọn850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, a aseyori ni semikondokito ĭdàsĭlẹ. Eleyi ti ni ilọsiwaju epi wafer daapọ awọn ga ṣiṣe ti Gallium Nitride (GaN) pẹlu awọn iye owo-doko ti Silicon (Si), ṣiṣẹda kan alagbara ojutu fun ga-voltage ohun elo.
Awọn ẹya pataki:
•Ga Foliteji mimu: Imọ-ẹrọ lati ṣe atilẹyin titi di 850V, GaN-on-Si Epi Wafer yii jẹ apẹrẹ fun ibeere eletiriki agbara, ṣiṣe ṣiṣe ti o ga julọ ati iṣẹ ṣiṣe.
•Ti mu dara si Power iwuwo: Pẹlu iṣipopada elekitironi ti o ga julọ ati iṣiṣẹ igbona, imọ-ẹrọ GaN ngbanilaaye fun awọn apẹrẹ iwapọ ati iwuwo agbara pọ si.
•Iye owo-doko Solusan: Nipa gbigbe ohun alumọni bi sobusitireti, epi wafer yii nfunni ni yiyan ti o munadoko-doko si awọn wafers GaN ti aṣa, laisi ibajẹ lori didara tabi iṣẹ.
•Wide elo Ibiti: Pipe fun lilo ninu awọn oluyipada agbara, RF amplifiers, ati awọn ẹrọ itanna miiran ti o ga julọ, ni idaniloju igbẹkẹle ati agbara.
Ṣawari ọjọ iwaju ti imọ-ẹrọ foliteji giga pẹlu Semicera's850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer. Ti a ṣe apẹrẹ fun awọn ohun elo gige-eti, ọja yii ṣe idaniloju awọn ẹrọ itanna rẹ ṣiṣẹ pẹlu ṣiṣe ti o pọju ati igbẹkẹle. Yan Semicera fun awọn iwulo semikondokito iran-tẹle rẹ.
| Awọn nkan | Ṣiṣejade | Iwadi | Idiwon |
| Crystal paramita | |||
| Polytype | 4H | ||
| Dada Iṣalaye aṣiṣe | <11-20>4±0.15° | ||
| Itanna paramita | |||
| Dopant | n-iru Nitrogen | ||
| Resistivity | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| Awọn paramita ẹrọ | |||
| Iwọn opin | 150.0 ± 0.2mm | ||
| Sisanra | 350± 25 μm | ||
| Iṣalaye alapin akọkọ | [1-100]±5° | ||
| Ipari alapin akọkọ | 47,5 ± 1.5mm | ||
| Atẹle alapin | Ko si | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Teriba | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ogun | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Iwaju (Si-oju) líle (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Ilana | |||
| iwuwo Micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Irin impurities | ≤5E10atomu/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Didara iwaju | |||
| Iwaju | Si | ||
| Ipari dada | Si-oju CMP | ||
| Awọn patikulu | ≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm) | NA | |
| Scratches | ≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin | Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA |
| Peeli osan / pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti | Ko si | NA | |
| Awọn eerun eti / indents / ṣẹ egungun / hex farahan | Ko si | ||
| Awọn agbegbe Polytype | Ko si | Agbegbe akojo≤20% | Agbegbe akopọ≤30% |
| Iwaju lesa siṣamisi | Ko si | ||
| Didara Pada | |||
| Pada pari | C-oju CMP | ||
| Scratches | ≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA | |
| Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents) | Ko si | ||
| Pada roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Pada lesa siṣamisi | 1 mm (lati eti oke) | ||
| Eti | |||
| Eti | Chamfer | ||
| Iṣakojọpọ | |||
| Iṣakojọpọ | Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale Olona-wafer kasẹti apoti | ||
| * Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD. | |||
