GaN epitaxy

Apejuwe kukuru:

GaN Epitaxy jẹ okuta igun ile ni iṣelọpọ ti awọn ẹrọ semikondokito iṣẹ ṣiṣe giga, ti o funni ni iṣẹ ṣiṣe ti o yatọ, iduroṣinṣin gbona, ati igbẹkẹle. Semicera's GaN Epitaxy solusan ti wa ni sile lati pade awọn ibeere ti awọn ohun elo gige-eti, aridaju didara ati aitasera ni gbogbo Layer.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicerainu didun iloju awọn oniwe-Ige-etiGaN epitaxyawọn iṣẹ, ti a ṣe lati pade awọn iwulo idagbasoke nigbagbogbo ti ile-iṣẹ semikondokito. Gallium nitride (GaN) jẹ ohun elo ti a mọ fun awọn ohun-ini alailẹgbẹ rẹ, ati awọn ilana idagbasoke epitaxial wa rii daju pe awọn anfani wọnyi ni imuse ni kikun ninu awọn ẹrọ rẹ.

Awọn ipele GaN ti o ga julọ Semiceraamọja ni isejade ti ga-didaraGaN epitaxyfẹlẹfẹlẹ, laimu lẹgbẹ ohun elo ti nw ati igbekale iyege. Awọn fẹlẹfẹlẹ wọnyi ṣe pataki fun ọpọlọpọ awọn ohun elo, lati ẹrọ itanna agbara si optoelectronics, nibiti iṣẹ ṣiṣe giga ati igbẹkẹle jẹ pataki. Awọn imuposi idagbasoke deede wa rii daju pe ipele GaN kọọkan pade awọn iṣedede deede ti o nilo fun awọn ẹrọ gige-eti.

Iṣapeye fun ṣiṣeAwọnGaN epitaxyti a pese nipasẹ Semicera jẹ iṣẹ-ṣiṣe pataki lati jẹki ṣiṣe ti awọn paati itanna rẹ. Nipa jiṣẹ aipe-kekere, awọn fẹlẹfẹlẹ GaN mimọ-giga, a jẹ ki awọn ẹrọ ṣiṣẹ ni awọn igbohunsafẹfẹ giga ati awọn foliteji, pẹlu pipadanu agbara dinku. Imudara yii jẹ bọtini fun awọn ohun elo bii awọn transistors giga-electron-mobility transistors (HEMTs) ati awọn diodes ti njade ina (Awọn LED), nibiti ṣiṣe jẹ pataki julọ.

Wapọ elo SemicerasGaN epitaxyjẹ wapọ, ṣiṣe ounjẹ si ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ ati awọn ohun elo. Boya o n ṣe idagbasoke awọn ampilifaya agbara, awọn paati RF, tabi awọn diodes laser, awọn fẹlẹfẹlẹ GaN epitaxial wa pese ipilẹ ti o nilo fun iṣẹ ṣiṣe giga, awọn ẹrọ igbẹkẹle. Ilana wa le ṣe deede lati pade awọn ibeere kan pato, ni idaniloju pe awọn ọja rẹ ṣaṣeyọri awọn abajade to dara julọ.

Ifaramo si DidaraDidara ni awọn igun tiSemicera's ona siGaN epitaxy. A lo awọn imọ-ẹrọ idagbasoke epitaxial to ti ni ilọsiwaju ati awọn iwọn iṣakoso didara to muna lati gbejade awọn fẹlẹfẹlẹ GaN ti o ṣe afihan iṣọkan ti o dara julọ, awọn iwuwo abawọn kekere, ati awọn ohun-ini ohun elo ti o ga julọ. Ifaramo yii si didara ni idaniloju pe awọn ẹrọ rẹ ko pade nikan ṣugbọn kọja awọn iṣedede ile-iṣẹ.

Awọn Imọ-ẹrọ Idagba Ilọtuntun Semicerajẹ ni forefront ti ĭdàsĭlẹ ni awọn aaye tiGaN epitaxy. Ẹgbẹ wa n ṣawari awọn ọna tuntun ati awọn imọ-ẹrọ nigbagbogbo lati mu ilana idagbasoke dagba, jiṣẹ awọn ipele GaN pẹlu itanna imudara ati awọn abuda igbona. Awọn imotuntun wọnyi tumọ si awọn ẹrọ ṣiṣe to dara julọ, ti o lagbara lati pade awọn ibeere ti awọn ohun elo iran atẹle.

Awọn solusan adani fun Awọn iṣẹ akanṣe RẹTi o mọ pe iṣẹ akanṣe kọọkan ni awọn ibeere alailẹgbẹ,Semiceranfun adaniGaN epitaxyawọn ojutu. Boya o nilo awọn profaili doping kan pato, awọn sisanra Layer, tabi awọn ipari dada, a ṣiṣẹ ni pẹkipẹki pẹlu rẹ lati ṣe agbekalẹ ilana kan ti o pade awọn iwulo gangan rẹ. Ibi-afẹde wa ni lati pese fun ọ pẹlu awọn fẹlẹfẹlẹ GaN ti o jẹ ṣiṣe ni deede lati ṣe atilẹyin iṣẹ ṣiṣe ati igbẹkẹle ẹrọ rẹ.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ijagun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli Orange / Pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / fifọ / awọn awo hex

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akojọpọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: