Semicerainu didun iloju awọn oniwe-Ige-etiGaN epitaxyawọn iṣẹ, ti a ṣe lati pade awọn iwulo idagbasoke nigbagbogbo ti ile-iṣẹ semikondokito. Gallium nitride (GaN) jẹ ohun elo ti a mọ fun awọn ohun-ini alailẹgbẹ rẹ, ati awọn ilana idagbasoke epitaxial wa rii daju pe awọn anfani wọnyi ni imuse ni kikun ninu awọn ẹrọ rẹ.
Awọn ipele GaN ti o ga julọ Semiceraamọja ni isejade ti ga-didaraGaN epitaxyfẹlẹfẹlẹ, laimu lẹgbẹ ohun elo ti nw ati igbekale iyege. Awọn fẹlẹfẹlẹ wọnyi ṣe pataki fun ọpọlọpọ awọn ohun elo, lati ẹrọ itanna agbara si optoelectronics, nibiti iṣẹ ṣiṣe giga ati igbẹkẹle jẹ pataki. Awọn imuposi idagbasoke deede wa rii daju pe Layer GaN kọọkan pade awọn iṣedede deede ti o nilo fun awọn ẹrọ gige-eti.
Iṣapeye fun ṣiṣeAwọnGaN epitaxyti a pese nipasẹ Semicera jẹ iṣẹ-ṣiṣe pataki lati jẹki ṣiṣe ti awọn paati itanna rẹ. Nipa jiṣẹ aipe-kekere, awọn fẹlẹfẹlẹ GaN mimọ-giga, a jẹ ki awọn ẹrọ ṣiṣẹ ni awọn igbohunsafẹfẹ giga ati awọn foliteji, pẹlu pipadanu agbara ti o dinku. Imudara yii jẹ bọtini fun awọn ohun elo bii awọn transistors giga-electron-mobility transistors (HEMTs) ati awọn diodes ti njade ina (Awọn LED), nibiti ṣiṣe jẹ pataki julọ.
Wapọ elo SemicerasGaN epitaxyjẹ wapọ, ṣiṣe ounjẹ si ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ ati awọn ohun elo. Boya o n ṣe idagbasoke awọn ampilifaya agbara, awọn paati RF, tabi awọn diodes laser, awọn fẹlẹfẹlẹ GaN epitaxial wa pese ipilẹ ti o nilo fun iṣẹ ṣiṣe giga, awọn ẹrọ igbẹkẹle. Ilana wa le ṣe deede lati pade awọn ibeere kan pato, ni idaniloju pe awọn ọja rẹ ṣaṣeyọri awọn abajade to dara julọ.
Ifaramo si DidaraDidara ni awọn igun tiSemicera's ona siGaN epitaxy. A lo awọn imọ-ẹrọ idagbasoke epitaxial to ti ni ilọsiwaju ati awọn iwọn iṣakoso didara to muna lati gbejade awọn fẹlẹfẹlẹ GaN ti o ṣe afihan iṣọkan ti o dara julọ, awọn iwuwo abawọn kekere, ati awọn ohun-ini ohun elo ti o ga julọ. Ifaramo yii si didara ni idaniloju pe awọn ẹrọ rẹ ko pade nikan ṣugbọn kọja awọn iṣedede ile-iṣẹ.
Awọn Imọ-ẹrọ Idagba Ilọtuntun Semicerajẹ ni forefront ti ĭdàsĭlẹ ni awọn aaye tiGaN epitaxy. Ẹgbẹ wa n ṣawari awọn ọna tuntun ati awọn imọ-ẹrọ nigbagbogbo lati mu ilana idagbasoke dagba, jiṣẹ awọn ipele GaN pẹlu itanna imudara ati awọn abuda igbona. Awọn imotuntun wọnyi tumọ si awọn ẹrọ ṣiṣe to dara julọ, ti o lagbara lati pade awọn ibeere ti awọn ohun elo iran atẹle.
Awọn solusan adani fun Awọn iṣẹ akanṣe RẹTi o mọ pe iṣẹ akanṣe kọọkan ni awọn ibeere alailẹgbẹ,Semiceranfun adaniGaN epitaxyawọn solusan. Boya o nilo awọn profaili doping kan pato, awọn sisanra Layer, tabi awọn ipari dada, a ṣiṣẹ ni pẹkipẹki pẹlu rẹ lati ṣe agbekalẹ ilana kan ti o pade awọn iwulo gangan rẹ. Ibi-afẹde wa ni lati pese fun ọ pẹlu awọn fẹlẹfẹlẹ GaN ti o jẹ ṣiṣe ni deede lati ṣe atilẹyin iṣẹ ṣiṣe ati igbẹkẹle ẹrọ rẹ.
| Awọn nkan | Ṣiṣejade | Iwadi | Idiwon |
| Crystal paramita | |||
| Polytype | 4H | ||
| Dada Iṣalaye aṣiṣe | <11-20>4±0.15° | ||
| Itanna paramita | |||
| Dopant | n-iru Nitrogen | ||
| Resistivity | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| Awọn paramita ẹrọ | |||
| Iwọn opin | 150.0 ± 0.2mm | ||
| Sisanra | 350± 25 μm | ||
| Iṣalaye alapin akọkọ | [1-100]±5° | ||
| Ipari alapin akọkọ | 47,5 ± 1.5mm | ||
| Atẹle alapin | Ko si | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Teriba | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ogun | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Iwaju (Si-oju) líle (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Ilana | |||
| iwuwo Micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Irin impurities | ≤5E10atomu/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Didara iwaju | |||
| Iwaju | Si | ||
| Ipari dada | Si-oju CMP | ||
| Awọn patikulu | ≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm) | NA | |
| Scratches | ≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin | Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA |
| Peeli osan / pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti | Ko si | NA | |
| Awọn eerun eti / indents / ṣẹ egungun / hex farahan | Ko si | ||
| Awọn agbegbe Polytype | Ko si | Agbegbe akojo≤20% | Agbegbe akopọ≤30% |
| Iwaju lesa siṣamisi | Ko si | ||
| Didara Pada | |||
| Pada pari | C-oju CMP | ||
| Scratches | ≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA | |
| Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents) | Ko si | ||
| Pada roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Pada lesa siṣamisi | 1 mm (lati eti oke) | ||
| Eti | |||
| Eti | Chamfer | ||
| Iṣakojọpọ | |||
| Iṣakojọpọ | Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale Olona-wafer kasẹti apoti | ||
| * Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD. | |||
