Pẹlu orukọ ìdílé SemiceraInP ati CdTe Sobusitireti, o le nireti didara ti o ga julọ ati imọ-ẹrọ ti o tọ lati pade awọn iwulo pato ti awọn ilana iṣelọpọ rẹ. Boya fun awọn ohun elo fọtovoltaic tabi awọn ẹrọ semikondokito, awọn sobusitireti wa ni a ṣe lati rii daju iṣẹ ṣiṣe ti o dara julọ, agbara, ati aitasera. Gẹgẹbi olutaja ti o ni igbẹkẹle, Semicera ti pinnu lati jiṣẹ didara giga, awọn solusan sobusitireti isọdi ti o wakọ imotuntun ninu ẹrọ itanna ati awọn apa agbara isọdọtun.
Kirisita ati Electrical Properties✽1
| Iru | Dopant | EPD (cm–2(Wo isalẹ A.) | DF (Ailewu Ọfẹ) agbegbe (cm2, Wo isalẹ B.) | c/ (c cm– 3) | Mobilit (y cm2/Vs) | Resistivit (y Ω・cm) |
| n | Sn | ≦5×104 ≦1×104 ≦5×103 | ────── | (0.5〜6)×1018 | ────── | ────── |
| n | S | ────── | 10 (59.4%) ≧ 15 (87%).4 | (2-10)×1018 | ────── | ────── |
| p | Zn | ────── | 10 (59.4%) 15 (87%). | (3-6)×1018 | ────── | ────── |
| SI | Fe | ≦5×104 ≦1×104 | ────── | ────── | ────── | ≧ 1×106 |
| n | ko si | ≦5×104 | ────── | ≦1×1016 | ≧ 4×103 | ────── |
✽1 Awọn pato miiran wa lori ibeere.
A.13 Points Apapọ
1. Dislocation etch iho densities ti wa ni won ni 13 ojuami.
2. Iwọn iwọn agbegbe ti awọn iwuwo dislocation jẹ iṣiro.
Iwọn Agbegbe B.DF (Ninu Ọran Ẹri Agbegbe)
1. Dislocation etch iho densities ti 69 ojuami han bi ọtun ti wa ni ka.
2. DF ti wa ni asọye bi EPD kere ju 500cm–2
3. Iwọn agbegbe DF ti o pọju nipasẹ ọna yii jẹ 17.25cm2
InP Single Crystal sobsitireti wọpọ ni pato
1. Iṣalaye
Iṣalaye oju (100) ± 0.2º tabi (100) ± 0.05º
Dada pa Iṣalaye wa lori ìbéèrè.
Iṣalaye ti alapin OF: (011)±1º tabi (011)±0.1º IF : (011)±2º
Cleaved OF wa lori ìbéèrè.
2. Lesa siṣamisi da lori SEMI bošewa wa.
3. Olukuluku package, bakanna bi package ni N2 gaasi wa.
4. Etch-ati-pack ni N2 gaasi wa.
5. Rectangular wafers wa.
Loke sipesifikesonu jẹ ti boṣewa JX.
Ti o ba nilo awọn alaye ni pato, jọwọ beere wa.
Iṣalaye
