Iṣapeye ati Akoonu Tumọ lori Ohun elo Idagbasoke Silicon Carbide Epitaxial

Awọn sobusitireti ohun alumọni carbide (SiC) ni ọpọlọpọ awọn abawọn ti o ṣe idiwọ sisẹ taara. Lati ṣẹda awọn wafers chirún, fiimu kan pato-crystal yẹ ki o dagba lori sobusitireti SiC nipasẹ ilana epitaxial. A mọ fiimu yii bi Layer epitaxial. O fẹrẹ to gbogbo awọn ẹrọ SiC ti wa ni imuse lori awọn ohun elo epitaxial, ati awọn ohun elo Homoepitaxial SiC ti o ga julọ ṣe ipilẹ fun idagbasoke ẹrọ SiC. Išẹ ti awọn ohun elo epitaxial taara pinnu iṣẹ ti awọn ẹrọ SiC.

Awọn ohun elo SiC lọwọlọwọ-giga ati igbẹkẹle giga fa awọn ibeere lile lori mofoloji dada, iwuwo abawọn, iṣọkan doping, ati isokan sisanra tiepitaxialohun elo. Iṣeyọri iwọn-nla, iwuwo-aibuku kekere, ati SiC epitaxy ti iṣọkan-giga ti di pataki fun idagbasoke ile-iṣẹ SiC.

Ṣiṣejade SiC epitaxy ti o ni agbara giga da lori awọn ilana ilọsiwaju ati ẹrọ. Lọwọlọwọ, ọna ti a lo julọ fun idagbasoke SiC epitaxial jẹKẹmika Vapor Deposition (CVD).CVD nfunni ni iṣakoso deede lori sisanra fiimu epitaxial ati ifọkansi doping, iwuwo abawọn kekere, iwọn idagba iwọntunwọnsi, ati iṣakoso ilana adaṣe, ṣiṣe ni imọ-ẹrọ ti o gbẹkẹle fun awọn ohun elo iṣowo aṣeyọri.

SiC CVD apọjuni gbogbogbo nlo odi gbona tabi ohun elo CVD ti o gbona. Awọn iwọn otutu idagbasoke giga (1500-1700 ° C) ṣe idaniloju itesiwaju fọọmu crystalline 4H-SiC. Da lori ibatan laarin itọsọna ṣiṣan gaasi ati dada sobusitireti, awọn iyẹwu ifaseyin ti awọn eto CVD wọnyi le jẹ ipin si awọn ẹya petele ati inaro.

Didara SiC epitaxial ààrò ni a ṣe idajọ ni akọkọ lori awọn aaye mẹta: iṣẹ idagbasoke epitaxial (pẹlu iṣọkan sisanra, iṣọkan doping, oṣuwọn abawọn, ati oṣuwọn idagbasoke), iṣẹ otutu ti ohun elo (pẹlu awọn iwọn alapapo / itutu agbaiye, iwọn otutu ti o pọju, ati isokan otutu. ), ati ṣiṣe iye owo (pẹlu idiyele ẹyọkan ati agbara iṣelọpọ).

Awọn iyatọ Laarin Awọn oriṣi mẹta ti Awọn ileru Idagbasoke SiC Epitaxial

1. Gbona-odi Petele CVD Systems:

-Awọn ẹya ara ẹrọ:Ni gbogbogbo ṣe ẹya awọn ọna idagbasoke iwọn-wafer ẹyọkan ti o wa nipasẹ yiyi lilefoofo gaasi, ṣiṣe iyọrisi awọn metiriki intra-wafer ti o dara julọ.

-Aṣoju Awoṣe:LPE's Pe1O6, ti o lagbara lati ṣe ikojọpọ wafer adaṣe adaṣe ni 900°C. Ti a mọ fun awọn oṣuwọn idagbasoke giga, awọn akoko apọju kukuru, ati intra-wafer deede ati iṣẹ ṣiṣe laarin.

-Iṣẹ ṣiṣe:Fun 4-6 inch 4H-SiC epitaxial wafers pẹlu sisanra ≤30μm, o ṣe aṣeyọri sisanra intra-wafer ti kii-aṣọkan ≤2%, doping fojusi ti kii-aṣọkan ≤5%, iwuwo abawọn oju ≤1 cm-², ati abawọn-free agbegbe dada (2mm × 2mm ẹyin) ≥90%.

-Abele Awọn olupese: Awọn ile-iṣẹ bii Jingsheng Mechatronics, CETC 48, North Huachuang, ati Nasset Intelligent ti ṣe agbekalẹ iru ohun elo SiC epitaxial ti o ni ẹyọkan-wafer pẹlu iṣelọpọ iwọn.

2. Gbona-odi Planetary CVD Systems:

-Awọn ẹya ara ẹrọ:Lo awọn ipilẹ eto ayeraye fun idagbasoke ọpọlọpọ-wafer fun ipele kan, ni ilọsiwaju imudara iṣelọpọ ni pataki.

-Awọn awoṣe Aṣoju:Aixtron's AIXG5WWC (8x150mm) ati G10-SiC (9x150mm tabi 6x200mm) jara.

-Iṣẹ ṣiṣe:Fun 6-inch 4H-SiC epitaxial wafers pẹlu sisanra ≤10μm, o ṣe aṣeyọri iyapa sisanra ti aarin-wafer ± 2.5%, sisanra intra-wafer ti kii ṣe isokan 2%, iyapa ifọkansi doping inter-wafer ± 5%, ati intra-wafer doping ifọkansi ti kii-aṣọkan <2%.

-Awọn italaya:Gbigba olodi lopin ni awọn ọja inu ile nitori aini data iṣelọpọ ipele, awọn idena imọ-ẹrọ ni iwọn otutu ati iṣakoso aaye ṣiṣan, ati R&D ti nlọ lọwọ laisi imuse iwọn-nla.

3. Quasi-gbona-odi inaro CVD Systems:

- Awọn ẹya ara ẹrọ:Lo iranlọwọ ẹrọ ẹrọ ita fun yiyi sobusitireti iyara to gaju, idinku sisanra Layer ala ati imudarasi oṣuwọn idagbasoke epitaxial, pẹlu awọn anfani atorunwa ni iṣakoso abawọn.

- Aṣoju Models:Nuflare's nikan-wafer EPIREVOS6 ati EPIREVOS8.

-Iṣẹ ṣiṣe:Ṣe aṣeyọri awọn oṣuwọn idagbasoke lori 50μm/h, iṣakoso iwuwo oju oju ni isalẹ 0.1 cm-², ati sisanra intra-wafer ati ifọkansi doping ti kii ṣe isokan ti 1% ati 2.6%, ni atele.

-Idagbasoke Abele:Awọn ile-iṣẹ bii Xingsandai ati Jingsheng Mechatronics ti ṣe apẹrẹ ohun elo kanna ṣugbọn wọn ko ṣaṣeyọri lilo iwọn nla.

Lakotan

Ọkọọkan ninu awọn oriṣi igbekale mẹta ti ohun elo idagbasoke SiC epitaxial ni awọn abuda pato ati gba awọn apakan ọja kan pato ti o da lori awọn ibeere ohun elo. CVD petele ti ogiri gbigbona nfunni ni awọn oṣuwọn idagba-yara ati didara iwọntunwọnsi ati iṣọkan ṣugbọn o ni ṣiṣe iṣelọpọ kekere nitori sisẹ-wafer ẹyọkan. CVD Planetary ti o gbona ni pataki mu iṣelọpọ iṣelọpọ pọ si ṣugbọn dojukọ awọn italaya ni iṣakoso aitasera-wafer pupọ. Quasi-hot-odi inaro CVD tayọ ni iṣakoso abawọn pẹlu eto eka ati nilo itọju lọpọlọpọ ati iriri iṣẹ.

Bi ile-iṣẹ naa ṣe n dagbasoke, iṣapeye atunwi ati awọn iṣagbega ninu awọn ẹya ẹrọ wọnyi yoo yorisi awọn atunto isọdọtun ti o pọ si, ti nṣere awọn ipa pataki ni ipade awọn pato wafer epitaxial oniruuru fun sisanra ati awọn ibeere abawọn.

Awọn anfani ati awọn alailanfani ti Awọn Ileru Idagbasoke SiC Epitaxial Oriṣiriṣi

Pẹlu idagbasoke ile-iṣẹ lemọlemọfún, awọn iru ohun elo mẹta wọnyi yoo gba iṣapeye igbekalẹ aṣetunṣe ati awọn iṣagbega, ti o yori si awọn atunto isọdọtun ti o pọ si ti o baamu ọpọlọpọ awọn pato wafer epitaxial fun sisanra ati awọn ibeere abawọn.