Ọna igbaradi ti TaC ti o wọpọ awọn ẹya lẹẹdi ti a bo

IPIN/1
CVD (Isọsọ Omi Omi Kemikali) ọna:
Ni 900-2300 ℃, lilo TaCl₅ati CnHm gẹgẹbi tantalum ati awọn orisun erogba, H₂ bi idinku oju-aye, Ar₂as ti ngbe gaasi, fiimu ifisilẹ ifaseyin. Awọn ti a ti pese sile ni iwapọ, aṣọ ile ati ki o ga ti nw. Sibẹsibẹ, awọn iṣoro kan wa bii ilana idiju, idiyele gbowolori, iṣakoso ṣiṣan afẹfẹ ti o nira ati ṣiṣe ifisilẹ kekere.
IPIN/2
Ọna slurry sintering:
Awọn slurry ti o ni erogba orisun, tantalum orisun, dispersant ati binder ti wa ni ti a bo lori lẹẹdi ati sintered ni ga otutu lẹhin gbigbe. Iboju ti a pese sile dagba laisi iṣalaye deede, ni idiyele kekere ati pe o dara fun iṣelọpọ iwọn-nla. O wa lati ṣawari lati ṣaṣeyọri aṣọ-aṣọ ati ibora kikun lori graphite nla, imukuro awọn abawọn atilẹyin ati mu agbara isọdọkan bo.
IPIN/3
Ọna fifa pilasima:
TaC lulú ti wa ni yo nipasẹ pilasima arc ni iwọn otutu ti o ga, atomized sinu awọn droplets otutu ti o ga nipasẹ ọkọ ofurufu iyara-giga, ati fun sokiri si oju ti ohun elo graphite. O rọrun lati ṣẹda Layer oxide labẹ aisi igbale, ati agbara agbara jẹ nla.

 

olusin. Wafer atẹ lẹhin lilo ninu GaN epitaxial po MOCVD ẹrọ (Veeco P75). Eyi ti o wa ni apa osi ni a bo pẹlu TaC ati ọkan ti o wa ni apa ọtun ti a bo pẹlu SiC.

TaC ti a bolẹẹdi awọn ẹya nilo lati wa ni re

IPIN/1
Agbára ìdè:
Olusọdipúpọ imugboroja igbona ati awọn ohun-ini ti ara miiran laarin TaC ati awọn ohun elo erogba yatọ, agbara ifunmọ ti a bo jẹ kekere, o nira lati yago fun awọn dojuijako, awọn pores ati aapọn gbona, ati pe ibora jẹ rọrun lati peeli ni oju-aye gangan ti o ni rot ati tun nyara ati itutu ilana.
IPIN/2
Mimo:
TaC ti a bonilo lati jẹ mimọ-giga giga lati yago fun awọn idoti ati idoti labẹ awọn ipo iwọn otutu giga, ati awọn iṣedede akoonu ti o munadoko ati awọn iṣedede abuda ti erogba ọfẹ ati awọn aimọ inu inu lori dada ati inu ibora kikun nilo lati gba.
IPIN/3
Iduroṣinṣin:
Iwọn otutu giga ati resistance bugbamu ti kemikali loke 2300 ℃ jẹ awọn itọkasi pataki julọ lati ṣe idanwo iduroṣinṣin ti ibora naa. Awọn ihò ṣonṣo, awọn dojuijako, awọn igun ti o padanu, ati awọn aala ọkà iṣalaye ẹyọkan rọrun lati fa awọn gaasi ibajẹ lati wọ ati wọ inu graphite, ti o yọrisi ikuna aabo ibora.
IPIN/4
Idaabobo Oxidation:
TaC bẹrẹ lati oxidize to Ta2O5 nigbati o jẹ loke 500 ℃, ati awọn ifoyina oṣuwọn pọ ndinku pẹlu awọn ilosoke ti otutu ati atẹgun ifọkansi. Ifoyina dada bẹrẹ lati awọn aala ọkà ati awọn oka kekere, ati ni diėdiė ṣe awọn kirisita columnar ati awọn kirisita ti o fọ, ti o mu ki nọmba nla ti awọn ela ati awọn ihò, ati infiltration atẹgun n pọ si titi ti a fi bọ aṣọ naa. Layer oxide ti o yọrisi ko ni iṣesi igbona ti ko dara ati ọpọlọpọ awọn awọ ni irisi.
IPIN/5
Ìṣọ̀kan àti ìríra:
Pinpin aiṣedeede ti dada ti a bo le ja si ifọkansi aapọn igbona agbegbe, jijẹ eewu ti fifọ ati spalling. Ni afikun, dada roughness taara ni ipa lori ibaraenisepo laarin awọn ti a bo ati awọn ita ayika, ati ki o ga roughness awọn iṣọrọ nyorisi si pọ edekoyede pẹlu awọn wafer ati uneven gbona aaye.
IPIN/6
Iwọn ọkà:
Iwọn ọkà ti aṣọ ṣe iranlọwọ fun iduroṣinṣin ti abọ. Ti o ba ti awọn ọkà iwọn ni kekere, awọn mnu ni ko ju, ati awọn ti o jẹ rorun a oxidized ati baje, Abajade ni kan ti o tobi nọmba ti dojuijako ati ihò ninu awọn ọkà eti, eyi ti o din awọn aabo iṣẹ ti awọn ti a bo. Ti o ba ti ọkà iwọn jẹ ju tobi, o jẹ jo ti o ni inira, ati awọn ti a bo jẹ rorun a flake ni pipa labẹ gbona wahala.