1. Ifihan
Ilana ti sisọ awọn nkan (awọn ohun elo aise) si oju awọn ohun elo sobusitireti nipasẹ awọn ọna ti ara tabi kemikali ni a pe ni idagbasoke fiimu tinrin.
Ni ibamu si awọn ipilẹ iṣẹ oriṣiriṣi, ifisilẹ fiimu tinrin ti iṣọpọ le pin si:
-Iwadi Omi ti ara (PVD);
-Kẹmika Vapor Deposition (CVD);
-Imugboroosi.
2. Tinrin Film Growth Ilana
2.1 Ti ara oru iwadi oro ati sputtering ilana
Ilana ifasilẹ oru ti ara (PVD) n tọka si lilo awọn ọna ti ara gẹgẹbi igbale evaporation, sputtering, pilasima ti a bo ati epitaxy tan ina molikula lati ṣe fiimu tinrin lori oju ti wafer.
Ninu ile-iṣẹ VLSI, imọ-ẹrọ PVD ti a lo pupọ julọ jẹ sputtering, eyiti o jẹ lilo ni pataki fun awọn amọna ati awọn asopọ irin ti awọn iyika iṣọpọ. Sputtering jẹ ilana kan ninu eyiti awọn gaasi toje [bii argon (Ar)] ti wa ni ionized sinu awọn ions (bii Ar +) labẹ iṣẹ ti aaye ina ita labẹ awọn ipo igbale giga, ati bombard orisun ibi-afẹde ohun elo labẹ agbegbe foliteji giga, kọlu awọn ọta tabi awọn ohun elo ti ohun elo ibi-afẹde, ati lẹhinna de aaye ti wafer lati ṣe fiimu tinrin lẹhin ilana ọkọ ofurufu ti ko ni ijamba. Ar ni awọn ohun-ini kemikali iduroṣinṣin, ati awọn ions rẹ kii yoo ṣe kemikali pẹlu ohun elo ibi-afẹde ati fiimu naa. Bii awọn eerun iyika iṣọpọ ti wọ inu akoko interconnect Ejò 0.13μm, Layer ohun elo idena bàbà nlo titanium nitride (TiN) tabi fiimu tantalum nitride (TaN). Ibeere fun imọ-ẹrọ ile-iṣẹ ti ṣe agbega iwadii ati idagbasoke ti imọ-ẹrọ itusilẹ ifa kemikali, iyẹn ni, ni iyẹwu sputtering, ni afikun si Ar, nitrogen gaasi ifaseyin tun wa (N2), ki Ti tabi Ta bombarded lati inu Awọn ohun elo ibi-afẹde Ti tabi Ta ṣe atunṣe pẹlu N2 lati ṣe ipilẹṣẹ TiN tabi fiimu TaN ti o nilo.
Awọn ọna sputtering mẹta lo wa, eyun DC sputtering, RF sputtering ati magnetron sputtering. Bi isọpọ ti awọn iyika iṣọpọ ti n tẹsiwaju lati pọ si, nọmba awọn fẹlẹfẹlẹ ti wiwu irin-ọpọ-Layer n pọ si, ati ohun elo ti imọ-ẹrọ PVD n di pupọ ati siwaju sii. Awọn ohun elo PVD pẹlu Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, Ti, Ta, Co, TiN, TaN, Ni, WSi2, ati bẹbẹ lọ.
PVD ati sputtering lakọkọ ti wa ni maa pari ni a gíga kü lenu iyẹwu pẹlu igbale ìyí ti 1 × 10-7 to 9 × 10-9 Torr, eyi ti o le rii daju awọn ti nw ti awọn gaasi nigba ti lenu; ni akoko kanna, ohun ita ga foliteji wa ni ti beere lati ionize awọn toje gaasi lati se ina kan ga to foliteji lati bombard awọn afojusun. Awọn ipilẹ akọkọ fun iṣiro PVD ati awọn ilana itọka pẹlu iye eruku, bakanna bi iye resistance, iṣọkan, sisanra afihan ati aapọn ti fiimu ti a ṣẹda.
2.2 Kemikali Vapor Deposition ati Sputtering Ilana
Isọdi eefin kemikali (CVD) tọka si imọ-ẹrọ ilana kan ninu eyiti ọpọlọpọ awọn ifaseyin gaseous pẹlu awọn igara apa oriṣiriṣi fesi kemikali ni iwọn otutu kan ati titẹ, ati awọn nkan ti o lagbara ti ipilẹṣẹ ti wa ni ipamọ lori dada ohun elo sobusitireti lati gba tinrin ti o fẹ. fiimu. Ninu ilana iṣelọpọ iyika iṣọpọ ibile, awọn ohun elo fiimu tinrin ti o gba jẹ awọn agbo ogun gbogbogbo gẹgẹbi awọn oxides, nitrides, carbides, tabi awọn ohun elo bii ohun alumọni polycrystalline ati ohun alumọni amorphous. Idagba epitaxial ti o yan, eyiti o jẹ lilo diẹ sii lẹhin ipade 45nm, gẹgẹbi orisun ati sisan SiGe tabi Si yiyan epitaxial idagbasoke, tun jẹ imọ-ẹrọ CVD kan.
Imọ-ẹrọ yii le tẹsiwaju lati dagba awọn ohun elo gara kan ti iru kanna tabi iru si lattice atilẹba lori sobusitireti gara kan ti ohun alumọni tabi awọn ohun elo miiran pẹlu lattice atilẹba. CVD jẹ lilo pupọ ni idagba ti awọn fiimu dielectric insulating (gẹgẹbi SiO2, Si3N4 ati SiON, ati bẹbẹ lọ) ati awọn fiimu irin (gẹgẹbi tungsten, bbl).
Ni gbogbogbo, ni ibamu si iyasọtọ titẹ, CVD ni a le pin si isọdi ikemi ti afẹfẹ oju-aye afẹfẹ (APCVD), ihalẹ oju-aye afẹfẹ ipadanu ikemika ti afẹfẹ (SAPCVD) ati kekere ipadanu ipanu kemikali titẹ kekere (LPCVD).
Gẹgẹbi iyasọtọ iwọn otutu, CVD ni a le pin si iwọn otutu giga / iwọn kekere ohun elo afẹfẹ oxide fiimu ifasilẹ kemikali oru (HTO / LTO CVD) ati iṣipopada eefin kemikali gbona (Rapid Thermal CVD, RTCVD);
Ni ibamu si awọn lenu orisun, CVD le ti wa ni pin si silane-orisun CVD, polyester-orisun CVD (TEOS-orisun CVD) ati irin Organic vapor iwadi oro (MOCVD);
Ni ibamu si ipinya agbara, CVD le pin si isunmọ eefin eefin kemikali gbona (Thermal CVD), ifisilẹ ikemi ti o ni ilọsiwaju pilasima (CVD Imudara Plasma, PECVD) ati ilọkuro pilasima iwuwo giga giga (High Density Plasma CVD, HDPCVD). Laipẹ, iṣipopada oru kẹmika ti nṣan (CVD Flowable, FCVD) pẹlu agbara kikun aafo to dara julọ ti tun ni idagbasoke.
Awọn fiimu ti o yatọ si CVD ni awọn ohun-ini oriṣiriṣi (gẹgẹbi akopọ kemikali, igbagbogbo dielectric, ẹdọfu, aapọn ati foliteji didenukole) ati pe o le ṣee lo lọtọ ni ibamu si awọn ibeere ilana ti o yatọ (gẹgẹbi iwọn otutu, agbegbe igbesẹ, awọn ibeere kikun, bbl).
2.3 Atomic Layer iwadi oro ilana
Ifilọlẹ Layer Atomiki (ALD) tọka si ifisilẹ ti awọn ọta Layer nipasẹ Layer lori ohun elo sobusitireti nipa dida Layer fiimu atomiki kan nipasẹ Layer. ALD aṣoju kan gba ọna ti titẹ awọn iṣaju gaseous sinu riakito ni ọna ti o yipada.
Fun apẹẹrẹ, ni akọkọ, iṣaju ifasẹyin 1 ni a ṣe sinu dada sobusitireti, ati lẹhin adsorption kemikali, Layer atomiki kan ni a ṣẹda lori dada sobusitireti; lẹhinna aṣaju 1 ti o ku lori dada sobusitireti ati ninu iyẹwu ifura ti fa jade nipasẹ fifa afẹfẹ; lẹhinna apejuwe ifasẹyin 2 ni a ṣe sinu dada sobusitireti, ati kemikali ṣe atunṣe pẹlu aṣaaju 1 adsorbed lori dada sobusitireti lati ṣe agbekalẹ ohun elo fiimu tinrin ti o baamu ati awọn ọja ti o baamu lori dada sobusitireti; nigbati awọn ṣaaju 1 fesi patapata, awọn lenu yoo laifọwọyi fopin si, eyi ti o jẹ awọn ara-diwọn abuda ALD, ati ki o si awọn ti o ku reactants ati nipasẹ-ọja ti wa ni jade lati mura fun awọn nigbamii ti ipele ti idagbasoke; nipa atunwi ilana ti o wa loke nigbagbogbo, ifisilẹ ti awọn ohun elo fiimu tinrin ti o dagba Layer nipasẹ Layer pẹlu awọn ọta kan le ṣee ṣaṣeyọri.
Mejeeji ALD ati CVD jẹ awọn ọna ti iṣafihan orisun idahun kemikali gaseous lati fesi si kemikali lori dada sobusitireti, ṣugbọn iyatọ ni pe orisun esi gaseous ti CVD ko ni ihuwasi ti idagbasoke didin ara ẹni. O le rii pe bọtini lati ṣe idagbasoke imọ-ẹrọ ALD ni lati wa awọn iṣaju pẹlu awọn ohun-ini ifasilẹ ti ara ẹni.
2.4 Epitaxial ilana
Ilana Epitaxial n tọka si ilana ti dagba Layer kristali kan ti o paṣẹ patapata lori sobusitireti kan. Ni gbogbogbo, ilana epitaxial ni lati dagba Layer gara kan pẹlu iṣalaye lattice kanna bi sobusitireti atilẹba lori sobusitireti gara kan. Ilana Epitaxial jẹ lilo pupọ ni iṣelọpọ semikondokito, gẹgẹbi awọn wafers ohun alumọni epitaxial ni ile-iṣẹ iṣọpọ iṣọpọ, orisun ifibọ ati idagbasoke epitaxial ti MOS transistors, idagbasoke epitaxial lori awọn sobusitireti LED, bbl
Gẹgẹbi awọn ipinlẹ alakoso oriṣiriṣi ti orisun idagbasoke, awọn ọna idagbasoke epitaxial le pin si epitaxy alakoso ti o lagbara, ipin iṣan omi, ati epitaxy alakoso vapor. Ninu iṣelọpọ iyika iṣọpọ, awọn ọna epitaxial ti a lo nigbagbogbo jẹ epitaxy alakoso ti o lagbara ati epitaxy alakoso oru.
Epitaxy alakoso ri to: ntokasi si idagba ti kan nikan gara Layer lori kan sobusitireti lilo a ri to orisun. Fun apẹẹrẹ, annealing thermal lẹhin gbin ion jẹ ilana apọju alakoso ti o lagbara. Lakoko gbingbin ion, awọn ọta ohun alumọni ti wafer ohun alumọni ti wa ni bombarded nipasẹ awọn ions ti a fi sii agbara-giga, nlọ awọn ipo lattice atilẹba wọn ati di amorphous, ti o n ṣe fẹlẹfẹlẹ amorphous ohun alumọni dada. Lẹhin annealing igbona otutu-giga, awọn ọta amorphous pada si awọn ipo lattice wọn ati ki o wa ni ibamu pẹlu iṣalaye gara atomiki inu sobusitireti.
Awọn ọna idagbasoke ti apitaxy alakoso oru ni kemikali vapor alakoso epitaxy, molikula tan ina epitaxy, atomiki Layer epitaxy, bbl Ninu iṣelọpọ iyika ti a ṣepọ, alakoso vapor kẹmika ni lilo julọ julọ. Awọn opo ti kemikali oru alakoso epitaxy jẹ besikale awọn kanna bi ti o ti kemikali oru iwadi oro. Mejeji jẹ awọn ilana ti o fi awọn fiimu tinrin silẹ nipasẹ ṣiṣe kemikali lori dada awọn wafers lẹhin idapọ gaasi.
Iyatọ ti o wa ni pe nitori kẹmika vapor alakoso epitaxy dagba ipele kan ṣoṣo gara, o ni awọn ibeere ti o ga julọ fun akoonu aimọ ninu ohun elo ati mimọ ti dada wafer. Ilana ohun alumọni alumọni epitaxial ni kutukutu o nilo lati ṣe labẹ awọn ipo iwọn otutu giga (to ju 1000 ° C). Pẹlu ilọsiwaju ti ohun elo ilana, ni pataki gbigba ti imọ-ẹrọ iyẹwu paṣipaarọ igbale, mimọ ti iho ohun elo ati dada ti wafer ohun alumọni ti ni ilọsiwaju pupọ, ati pe ohun alumọni silikoni le ṣee ṣe ni iwọn otutu kekere (600-700 °). C). Ilana wafer ohun alumọni epitaxial ni lati dagba Layer ti ohun alumọni gara ẹyọkan lori dada wafer ohun alumọni.
Ti a ṣe afiwe pẹlu sobusitireti ohun alumọni atilẹba, Layer ohun alumọni epitaxial ni mimọ ti o ga julọ ati awọn abawọn lattice diẹ, nitorinaa imudara ikore ti iṣelọpọ semikondokito. Ni afikun, sisanra idagba ati ifọkansi doping ti Layer ohun alumọni epitaxial ti o dagba lori wafer ohun alumọni le jẹ apẹrẹ ni irọrun, eyiti o mu irọrun wa si apẹrẹ ẹrọ naa, bii idinku resistance sobusitireti ati imudara ipinya sobusitireti. Ilana epitaxial orisun orisun-iṣiro jẹ imọ-ẹrọ ti a lo pupọ ni awọn apa imọ-ẹrọ imọ-jinlẹ ilọsiwaju.
O tọka si ilana ti ohun alumọni germanium doped ti epitaxially dagba tabi ohun alumọni ni orisun ati awọn agbegbe imugbẹ ti awọn transistors MOS. Awọn anfani akọkọ ti iṣafihan ilana ilana epitaxial orisun orisun-iṣan pẹlu: dagba pseudocrystalline Layer ti o ni aapọn nitori isọdi lattice, imudarasi iṣipopada ti ngbe ikanni; doping ti o wa ni ipo ti orisun ati sisan le dinku ipalara parasitic ti isunmọ-igbẹ-iṣan ati ki o dinku awọn abawọn ti iṣeduro ion agbara-giga.
3. tinrin fiimu idagbasoke ẹrọ
3.1 Igbale evaporation ẹrọ
Igbale evaporation jẹ ọna ti a bo ti o gbona awọn ohun elo to lagbara ni iyẹwu igbale lati jẹ ki wọn yọ, vaporize tabi sublimate, ati lẹhinna di di ati idogo lori oju ohun elo sobusitireti ni iwọn otutu kan.
Nigbagbogbo o ni awọn ẹya mẹta, eyun eto igbale, eto evaporation ati eto alapapo. Eto igbale naa ni awọn paipu igbale ati awọn ifasoke igbale, ati pe iṣẹ akọkọ rẹ ni lati pese agbegbe igbale ti o peye fun evaporation. Eto evaporation ni tabili evaporation, paati alapapo ati paati wiwọn iwọn otutu kan.
Awọn ohun elo ibi-afẹde lati gbejade (gẹgẹbi Ag, Al, ati bẹbẹ lọ) ni a gbe sori tabili evaporation; alapapo ati paati wiwọn iwọn otutu jẹ eto isọdi-pipade ti a lo lati ṣakoso iwọn otutu gbigbe lati rii daju isunmi didan. Eto alapapo ni ipele wafer ati paati alapapo kan. Ipele wafer ni a lo lati gbe sobusitireti sori eyiti fiimu tinrin nilo lati yọ kuro, ati pe paati alapapo ni a lo lati mọ alapapo sobusitireti ati iṣakoso esi wiwọn iwọn otutu.
Ayika igbale jẹ ipo ti o ṣe pataki pupọ ninu ilana imukuro igbale, eyi ti o ni ibatan si oṣuwọn evaporation ati didara fiimu naa. Ti alefa igbale ko ba pade awọn ibeere, awọn ọta tabi awọn ohun alumọni yoo kọlu nigbagbogbo pẹlu awọn ohun elo gaasi ti o ku, ti o jẹ ki ọna ọfẹ wọn kere si, ati awọn ọta tabi awọn ohun elo yoo tuka kaakiri, nitorinaa yiyipada itọsọna gbigbe ati idinku fiimu naa. oṣuwọn Ibiyi.
Ni afikun, nitori wiwa awọn ohun elo gaasi aibikita ti o ku, fiimu ti a fi silẹ jẹ ibajẹ pupọ ati ti ko dara, paapaa nigbati iwọn titẹ ti iyẹwu naa ko ni ibamu si boṣewa ati jijo wa, afẹfẹ yoo jo sinu iyẹwu igbale. , eyi ti yoo ni ipa pataki lori didara fiimu naa.
Awọn abuda igbekale ti ohun elo evaporation igbale pinnu pe isokan ti ibora lori awọn sobusitireti titobi nla ko dara. Lati le ni ilọsiwaju iṣọkan rẹ, ọna ti jijẹ ijinna sobusitireti orisun ati yiyi sobusitireti ni gbogbogbo gba, ṣugbọn jijẹ ijinna sobusitireti orisun yoo rubọ oṣuwọn idagbasoke ati mimọ ti fiimu naa. Ni akoko kanna, nitori ilosoke ninu aaye igbale, iwọn lilo ti awọn ohun elo ti o gbẹ ti dinku.
3.2 DC ti ara oru iwadi oro ẹrọ
Iṣeduro oru ti ara lọwọlọwọ (DCPVD) ni a tun mọ bi cathode sputtering tabi igbale DC ni ipele meji sputtering. Ohun elo ibi-afẹde ti igbale DC sputtering ni a lo bi cathode ati sobusitireti ti lo bi anode. Igbale sputtering ni lati ṣe pilasima kan nipa ionizing gaasi ilana.
Awọn patikulu ti o gba agbara ni pilasima ti wa ni isare ni aaye ina lati gba iye kan ti agbara. Awọn patikulu pẹlu agbara to bombard awọn dada ti awọn ohun elo ibi-afẹde, ki awọn atomu afojusun wa ni sputtered jade; awọn ọta sputtered pẹlu kan awọn kainetik agbara gbe si ọna sobusitireti lati ṣe kan tinrin fiimu lori dada ti awọn sobusitireti. Gaasi ti a lo fun itọlẹ jẹ gaasi ti o ṣọwọn, gẹgẹbi argon (Ar), nitorinaa fiimu ti a ṣe nipasẹ itọlẹ kii yoo ni idoti; ni afikun, awọn atomiki rediosi ti argon jẹ diẹ dara fun sputtering.
Iwọn awọn patikulu sputtering gbọdọ wa ni isunmọ si iwọn awọn ọta ibi-afẹde lati tu. Ti awọn patikulu naa ba tobi ju tabi kere ju, sputtering ti o munadoko ko le ṣe agbekalẹ. Ni afikun si awọn iwọn ifosiwewe ti awọn atomu, awọn ibi-ipinnu ti awọn atomu yoo tun ni ipa lori awọn sputtering didara. Ti o ba ti sputtering patiku orisun jẹ ju ina, awọn atomu afojusun yoo wa ko le sputtered; ti awọn patikulu sputtering ba wuwo pupọ, ibi-afẹde naa yoo “tẹ” ati pe ibi-afẹde naa kii yoo tu.
Ohun elo ibi-afẹde ti a lo ni DCPVD gbọdọ jẹ oludari. Eyi jẹ nitori nigbati awọn ions argon ninu ilana gaasi bombard ohun elo ibi-afẹde, wọn yoo tun darapọ pẹlu awọn elekitironi lori aaye ti ohun elo ibi-afẹde. Nigbati ohun elo ibi-afẹde ba jẹ adaorin bii irin, awọn elekitironi ti o jẹ nipasẹ isọdọtun yii ni irọrun ni irọrun ni kikun nipasẹ ipese agbara ati awọn elekitironi ọfẹ ni awọn apakan miiran ti ohun elo ibi-afẹde nipasẹ itọnisọna itanna, ki oju ti ohun elo ibi-afẹde bi a gbogbo ku odi agbara ati sputtering ti wa ni muduro.
Ni ilodi si, ti ohun elo ibi-afẹde ba jẹ insulator, lẹhin ti awọn elekitironi ti o wa lori dada ti ohun elo ibi-afẹde ti tun darapọ, awọn elekitironi ọfẹ ni awọn ẹya miiran ti ohun elo ibi-afẹde ko le tun kun nipasẹ itọsi itanna, ati paapaa awọn idiyele rere yoo ṣajọpọ lori dada ti ohun elo ibi-afẹde, nfa agbara ohun elo ibi-afẹde dide, ati idiyele odi ti ohun elo ibi-afẹde ti di alailagbara titi yoo fi parẹ, nikẹhin ti o yori si ifopinsi ti sputtering.
Nitorinaa, lati le jẹ ki awọn ohun elo idabobo tun ṣee lo fun sputtering, o jẹ dandan lati wa ọna sputtering miiran. Titọka igbohunsafẹfẹ redio jẹ ọna sputtering ti o dara fun mejeeji awọn ibi-afẹde adaṣe ati ti kii ṣe adaṣe.
Alailanfani miiran ti DCPVD ni pe foliteji ina jẹ giga ati bombu elekitironi lori sobusitireti lagbara. Ọna ti o munadoko lati yanju iṣoro yii ni lati lo sputtering magnetron, nitorinaa sputtering magnetron jẹ iye to wulo ni aaye ti awọn iyika iṣọpọ.
3.3 RF Physical Vapor Deposition Equipment
Isọdi eefin ti ara igbohunsafẹfẹ redio (RFPVD) nlo agbara ipo igbohunsafẹfẹ redio gẹgẹbi orisun itara ati pe o jẹ ọna PVD ti o dara fun ọpọlọpọ irin ati awọn ohun elo ti kii ṣe irin.
Awọn loorekoore ti o wọpọ ti ipese agbara RF ti a lo ninu RFPVD jẹ 13.56MHz, 20MHz, ati 60MHz. Awọn iyipo rere ati odi ti ipese agbara RF han ni omiiran. Nigbati ibi-afẹde PVD ba wa ni iwọn idaji rere, nitori aaye ibi-afẹde wa ni agbara rere, awọn elekitironi ti o wa ninu oju-aye ilana yoo ṣan si oju ibi-afẹde lati yọkuro idiyele rere ti a kojọpọ lori oju rẹ, ati paapaa tẹsiwaju lati ṣajọpọ awọn elekitironi, ṣiṣe awọn oniwe-dada ni odi abosi; nigbati ibi-afẹde sputtering ba wa ni iwọn idaji odi, awọn ions rere yoo lọ si ibi ibi-afẹde ati ki o jẹ didoju ni apakan lori aaye ibi-afẹde.
Ohun to ṣe pataki julọ ni pe iyara gbigbe ti awọn elekitironi ninu aaye ina RF jẹ yiyara pupọ ju ti awọn ions rere lọ, lakoko ti akoko ti awọn ipadabọ rere ati odi odi jẹ kanna, nitorinaa lẹhin ipari pipe, dada ibi-afẹde yoo jẹ kanna. "net" ni odi gba agbara. Nitorinaa, ni awọn akoko diẹ akọkọ, idiyele odi ti dada ibi-afẹde fihan aṣa ti o pọ si; lehin, awọn afojusun dada Gigun kan idurosinsin o pọju odi; lẹhinna, nitori idiyele odi ti ibi-afẹde naa ni ipa aibikita lori awọn elekitironi, iye awọn idiyele rere ati odi ti a gba nipasẹ elekiturodu ibi-afẹde duro lati dọgbadọgba, ati pe ibi-afẹde ṣafihan idiyele odi iduroṣinṣin.
Lati ilana ti o wa loke, o le rii pe ilana ti iṣelọpọ foliteji odi ko ni nkankan lati ṣe pẹlu awọn ohun-ini ti ohun elo ibi-afẹde funrararẹ, nitorinaa ọna RFPVD ko le yanju iṣoro ti sputtering ti awọn ibi-afẹde idabobo, ṣugbọn tun ni ibamu daradara. pẹlu mora irin adaorin afojusun.
3.4 Magnetron sputtering ẹrọ
Magnetron sputtering jẹ ọna PVD ti o ṣafikun awọn oofa si ẹhin ibi-afẹde. Awọn oofa ti a ṣafikun ati ipese agbara DC (tabi ipese agbara AC) jẹ orisun orisun sputtering magnetron. A lo orisun sputtering lati dagba aaye itanna ibaraenisepo ninu iyẹwu, yiya ati idinwo iwọn gbigbe ti awọn elekitironi ninu pilasima inu iyẹwu naa, fa ọna gbigbe ti awọn elekitironi, ati nitorinaa mu ifọkansi pilasima naa pọ si, ati nikẹhin ṣaṣeyọri diẹ sii. ifisilẹ.
Ni afikun, nitori diẹ sii awọn elekitironi ti wa ni owun nitosi aaye ibi-afẹde, bombardment ti sobusitireti nipasẹ awọn elekitironi dinku, ati iwọn otutu ti sobusitireti ti dinku. Ti a ṣe afiwe pẹlu imọ-ẹrọ DCPVD alapin-alapin, ọkan ninu awọn ẹya ti o han gbangba julọ ti imọ-ẹrọ ifisilẹ oru ti ara magnetron ni pe foliteji itusilẹ ina jẹ kekere ati iduroṣinṣin diẹ sii.
Nitori ifọkansi pilasima ti o ga julọ ati ikore sputtering nla, o le ṣaṣeyọri ṣiṣe ṣiṣe ifisilẹ ti o dara julọ, iṣakoso sisanra ifisilẹ ni iwọn iwọn nla, iṣakoso akopọ kongẹ ati foliteji ina kekere. Nitorinaa, sputtering magnetron wa ni ipo ti o ga julọ ni fiimu irin lọwọlọwọ PVD. Apẹrẹ orisun sputtering magnetron ti o rọrun julọ ni lati gbe ẹgbẹ kan ti awọn oofa si ẹhin ibi-afẹde alapin (ni ita eto igbale) lati ṣe ina aaye oofa ti o jọra si dada ibi-afẹde ni agbegbe agbegbe lori aaye ibi-afẹde.
Ti o ba ti gbe oofa titilai, aaye oofa rẹ ti wa titi, ti o yọrisi pinpin aaye oofa ti o wa titi ti o jo lori aaye ibi-afẹde ninu iyẹwu naa. Awọn ohun elo nikan ni awọn agbegbe kan pato ti ibi-afẹde ti wa ni itọka, iwọn lilo ibi-afẹde jẹ kekere, ati iṣọkan ti fiimu ti a pese sile ko dara.
Iṣeeṣe kan wa pe irin sputtered tabi awọn patikulu ohun elo miiran yoo wa ni ifipamọ pada sori dada ibi-afẹde, nitorinaa iṣakojọpọ sinu awọn patikulu ati dagba ibajẹ abawọn. Nitorinaa, awọn orisun sputtering magnetron ti iṣowo lo pupọ julọ apẹrẹ oofa ti n yiyi lati mu isokan fiimu dara, oṣuwọn iṣamulo ibi-afẹde, ati itọsi ibi-afẹde ni kikun.
O ṣe pataki lati dọgbadọgba awọn nkan mẹta wọnyi. Ti iwọntunwọnsi ko ba ni itọju daradara, o le ja si isokan fiimu ti o dara lakoko ti o dinku iwọn lilo ibi-afẹde pupọ (pipe igbesi aye ibi-afẹde), tabi aise lati ṣaṣeyọri ifọkanbalẹ ni kikun tabi ipata ibi-afẹde ni kikun, eyiti yoo fa awọn iṣoro patiku lakoko sputtering. ilana.
Ninu imọ-ẹrọ PVD magnetron, o jẹ dandan lati gbero ẹrọ gbigbe oofa yiyi, apẹrẹ ibi-afẹde, eto itutu ibi-afẹde ati orisun sputtering magnetron, bakanna bi iṣeto iṣẹ ṣiṣe ti ipilẹ ti o gbe wafer, gẹgẹbi adsorption wafer ati iṣakoso iwọn otutu. Ninu ilana PVD, iwọn otutu ti wafer ti wa ni iṣakoso lati gba eto kirisita ti a beere, iwọn ọkà ati iṣalaye, bakanna bi iduroṣinṣin ti iṣẹ.
Niwọn igba ti itọsi ooru laarin ẹhin wafer ati dada ti ipilẹ nilo titẹ kan, nigbagbogbo ni aṣẹ ti ọpọlọpọ Torr, ati titẹ iṣẹ ti iyẹwu naa nigbagbogbo ni aṣẹ ti ọpọlọpọ mTorr, titẹ lori ẹhin. ti awọn wafer jẹ Elo tobi ju awọn titẹ lori oke dada ti awọn wafer, ki a darí Chuck tabi ẹya electrostatic Chuck wa ni ti nilo lati ipo ati ki o idinwo awọn wafer.
Chuck ẹrọ da lori iwuwo tirẹ ati eti wafer lati ṣaṣeyọri iṣẹ yii. Botilẹjẹpe o ni awọn anfani ti ọna ti o rọrun ati aibikita si ohun elo ti wafer, ipa eti ti wafer jẹ kedere, eyiti ko ni itara si iṣakoso ti o muna ti awọn patikulu. Nitorinaa, o ti rọpo ni diẹdiẹ nipasẹ gige elekitiroti kan ninu ilana iṣelọpọ IC.
Fun awọn ilana ti ko ni ifarakanra si iwọn otutu, ti kii ṣe adsorption, ọna ibi ipamọ olubasọrọ ti kii-eti (ko si iyatọ titẹ laarin awọn oke ati isalẹ ti wafer) tun le ṣee lo. Lakoko ilana PVD, ideri iyẹwu ati oju awọn ẹya ti o ni ibatan pẹlu pilasima yoo wa ni ipamọ ati bo. Nigbati sisanra fiimu ti a fi silẹ ti kọja opin, fiimu naa yoo kiraki ati peeli kuro, nfa awọn iṣoro patiku.
Nitorinaa, itọju dada ti awọn ẹya bii ikan lara jẹ bọtini lati faagun opin yii. Iyanrin dada ati fifa aluminiomu jẹ awọn ọna meji ti a lo nigbagbogbo, idi eyiti o jẹ lati mu ki aiyẹwu dada pọ si lati teramo isunmọ laarin fiimu naa ati dada awọ.
3.5 Ionization Physical Vapor Deposition Equipment
Pẹlu ilọsiwaju ilọsiwaju ti imọ-ẹrọ microelectronics, awọn iwọn ẹya ti n dinku ati kere si. Niwọn igba ti imọ-ẹrọ PVD ko le ṣakoso itọsọna ifisilẹ ti awọn patikulu, agbara PVD lati wọle nipasẹ awọn iho ati awọn ikanni dín pẹlu awọn ipin abala ti o ga ni opin, ṣiṣe awọn ohun elo ti o gbooro sii ti imọ-ẹrọ PVD ibile nija nija. Ninu ilana PVD, bi ipin abala ti pore groove ti n pọ si, agbegbe ti o wa ni isalẹ dinku, ti o ṣẹda eaves-like overhanging be ni igun oke, ati ṣiṣe agbegbe ti o lagbara julọ ni igun isalẹ.
Imọ-ẹrọ ifisilẹ oru ti ara Ionized ti ni idagbasoke lati yanju iṣoro yii. O kọkọ ṣe pilasima ti awọn ọta irin ti a tuka lati ibi-afẹde ni awọn ọna oriṣiriṣi, ati lẹhinna ṣatunṣe foliteji aiṣedeede ti a kojọpọ lori wafer lati ṣakoso itọsọna ati agbara ti awọn ions irin lati gba ṣiṣan ion irin itọnisọna iduroṣinṣin lati mura fiimu tinrin, nitorinaa ni ilọsiwaju agbegbe ti isalẹ ti awọn igbesẹ ti ga aspect ratio nipasẹ awọn iho ati awọn ikanni dín.
Ẹya aṣoju ti imọ-ẹrọ pilasima irin ionized jẹ afikun ti okun igbohunsafẹfẹ redio ninu iyẹwu naa. Lakoko ilana naa, titẹ iṣiṣẹ ti iyẹwu naa jẹ itọju ni ipo giga ti o ga julọ (awọn akoko 5 si 10 ni titẹ iṣẹ deede). Lakoko PVD, okun igbohunsafẹfẹ redio ti lo lati ṣe agbejade agbegbe pilasima keji, ninu eyiti ifọkansi pilasima argon pọ si pẹlu ilosoke ti agbara igbohunsafẹfẹ redio ati titẹ gaasi. Nigbati awọn ọta irin sputtered lati ibi-afẹde gba nipasẹ yi ekun, nwọn nlo pẹlu awọn ga-iwuwo argon pilasima lati dagba irin ions.
Nbere orisun RF kan ni agbẹru wafer (gẹgẹbi chuck elekitiroti) le ṣe alekun irẹjẹ odi lori wafer lati fa awọn ions rere irin si isalẹ ti iho pore. Ṣiṣan ion irin itọsọna yii ni papẹndikula si dada wafer ṣe ilọsiwaju agbegbe igbesẹ isalẹ ti awọn pores ipin ti o ga ati awọn ikanni dín.
Irẹjẹ odi ti a lo si wafer tun fa awọn ions lati bombard dada wafer (yiyipada sputtering), eyiti o ṣe irẹwẹsi ọna gbigbe ti ẹnu iho ẹnu ati tu fiimu naa ti o wa ni isalẹ si awọn odi ẹgbẹ ni awọn igun ti isalẹ ti pore. iho, nitorina igbelaruge awọn agbegbe igbese ni awọn igun.
3.6 Atmospheric Titẹ Kemika Awọn Ohun elo Isọsọ Omi Omi
Ohun elo afẹfẹ afẹfẹ afẹfẹ afẹfẹ (APCVD) ohun elo n tọka si ẹrọ kan ti o nfọn orisun ifasẹ gaseous ni iyara igbagbogbo lori dada ti sobusitireti to lagbara ti o gbona labẹ agbegbe kan pẹlu titẹ ti o sunmọ si titẹ oju aye, nfa orisun idahun lati fesi kemikali lori awọn sobusitireti dada, ati awọn lenu ọja ti wa ni nile lori awọn sobusitireti dada lati fẹlẹfẹlẹ kan ti tinrin fiimu.
Ohun elo APCVD jẹ ohun elo CVD akọkọ ati pe o tun lo pupọ ni iṣelọpọ ile-iṣẹ ati iwadii imọ-jinlẹ. Ohun elo APCVD le ṣee lo lati ṣeto awọn fiimu tinrin gẹgẹbi ohun alumọni gara ẹyọkan, silikoni polycrystalline, silicon dioxide, zinc oxide, titanium dioxide, gilasi phosphosilicate, ati gilasi borophosphosilicate.
3.7 Kekere Awọn ohun elo Iṣagbepo Kemikali Vapor
Ohun elo ikemika ti o ni titẹ kekere (LPCVD) n tọka si ohun elo ti o nlo awọn ohun elo aise gaseous lati fesi kemikali lori dada ti sobusitireti ti o lagbara labẹ igbona (350-1100°C) ati agbegbe titẹ-kekere (10-100mTorr), ati awọn reactants ti wa ni nile lori sobusitireti dada lati fẹlẹfẹlẹ kan ti tinrin fiimu. Ohun elo LPCVD ti ni idagbasoke lori ipilẹ ti APCVD lati mu didara awọn fiimu tinrin dara si, mu isokan pinpin ti awọn aye abuda bii sisanra fiimu ati resistivity, ati ilọsiwaju ṣiṣe iṣelọpọ.
Ẹya akọkọ rẹ ni pe ni agbegbe aaye gbigbona titẹ kekere, gaasi ilana n ṣe kemikali lori dada ti sobusitireti wafer, ati awọn ọja ifaseyin ti wa ni ipamọ lori dada sobusitireti lati ṣe fiimu tinrin. Ohun elo LPCVD ni awọn anfani ni igbaradi ti awọn fiimu tinrin ti o ni agbara giga ati pe o le ṣee lo lati mura awọn fiimu tinrin bii ohun elo afẹfẹ silikoni, ohun alumọni nitride, polysilicon, silikoni carbide, gallium nitride ati graphene.
Ti a ṣe afiwe pẹlu APCVD, agbegbe ifaseyin titẹ kekere ti ohun elo LPCVD pọ si ọna ọfẹ ati iyeida kaakiri ti gaasi ni iyẹwu ifaseyin.
Gaasi ifaseyin ati awọn ohun elo gaasi ti ngbe ni iyẹwu ifaseyin le jẹ pinpin ni deede ni igba diẹ, nitorinaa imudarasi isomọ ti sisanra fiimu, isomọ resistance ati agbegbe igbesẹ ti fiimu naa, ati agbara ti gaasi ifaseyin tun jẹ kekere. Ni afikun, agbegbe titẹ-kekere tun ṣe iyara iyara gbigbe ti awọn nkan gaasi. Awọn aimọ ati awọn ọja ti o tan kaakiri lati sobusitireti ni a le mu ni iyara kuro ni agbegbe ifura nipasẹ ipele aala, ati gaasi ifaseyin yarayara lọ nipasẹ ipele ala lati de ilẹ sobusitireti fun ifa, nitorinaa ni imunadoko imunadoko ti ara ẹni, ngbaradi awọn fiimu ti o ni agbara giga pẹlu awọn agbegbe iyipada giga, ati tun imudarasi ṣiṣe iṣelọpọ.
3.8 Plasma Imudara Kemikali Vapor Deposition Equipment
Pilasima ti mu dara kemikali oru iwadi (PECVD) jẹ thin film iwadi oro. Lakoko ilana pilasima, iṣaju gaseous jẹ ionized labẹ iṣe ti pilasima lati ṣẹda awọn ẹgbẹ ti o ni itara, eyiti o tan kaakiri si dada sobusitireti ati lẹhinna gba awọn aati kemikali lati pari idagbasoke fiimu naa.
Gẹgẹbi igbohunsafẹfẹ ti iran pilasima, pilasima ti a lo ninu PECVD le pin si awọn oriṣi meji: pilasima igbohunsafẹfẹ redio (pilasima RF) ati pilasima microwave (pilasima Microwave). Lọwọlọwọ, igbohunsafẹfẹ redio ti a lo ninu ile-iṣẹ jẹ 13.56MHz ni gbogbogbo.
Ifilọlẹ pilasima igbohunsafẹfẹ redio nigbagbogbo pin si awọn oriṣi meji: idapọ capacitive (CCP) ati isopọpọ inductive (ICP). Ọna asopọ capacitive jẹ igbagbogbo ọna ifasilẹ pilasima taara; lakoko ti ọna asopọ inductive le jẹ ọna pilasima taara tabi ọna pilasima latọna jijin.
Ninu awọn ilana iṣelọpọ semikondokito, PECVD ni igbagbogbo lo lati dagba awọn fiimu tinrin lori awọn sobusitireti ti o ni awọn irin tabi awọn ẹya ifamọ otutu miiran. Fun apẹẹrẹ, ni aaye ti isopọpọ irin-ipari-pada ti awọn iyika ti a ṣepọ, niwọn igba ti orisun, ẹnu-ọna ati awọn ẹya sisan ti ẹrọ naa ti ṣẹda ni ilana iwaju-ipari, idagba ti awọn fiimu tinrin ni aaye ti isopọpọ irin jẹ koko-ọrọ. si awọn ihamọ isuna igbona ti o muna pupọ, nitorinaa o maa n pari pẹlu iranlọwọ pilasima. Nipa ṣiṣatunṣe awọn ilana ilana pilasima, iwuwo, akopọ kemikali, akoonu aimọ, lile ẹrọ ati awọn aye aapọn ti fiimu tinrin ti o dagba nipasẹ PECVD le ṣe atunṣe ati iṣapeye laarin iwọn kan.
3.9 Atomic Layer idorikodo Equipment
Ifilọlẹ Layer Atomic (ALD) jẹ imọ-ẹrọ ifisilẹ fiimu tinrin ti o ndagba lorekore ni irisi Layer kioto-monoatomic kan. Iwa rẹ ni pe sisanra ti fiimu ti a fi silẹ le ṣe atunṣe ni deede nipasẹ ṣiṣakoso nọmba awọn iyipo idagbasoke. Ko dabi ilana itusilẹ ikemika (CVD), awọn iṣaju meji (tabi diẹ sii) ninu ilana ALD ni omiiran miiran kọja nipasẹ dada sobusitireti ati pe o ya sọtọ daradara nipasẹ mimu gaasi toje.
Awọn iṣaju meji kii yoo dapọ ati pade ni ipele gaasi lati fesi ni kemikali, ṣugbọn fesi nikan nipasẹ ipolowo kemikali lori dada sobusitireti. Ninu ọmọ ALD kọọkan, iye ṣaaju adsorbed lori dada sobusitireti jẹ ibatan si iwuwo ti awọn ẹgbẹ ti nṣiṣe lọwọ lori dada sobusitireti. Nigbati awọn ẹgbẹ ifaseyin ti o wa lori dada sobusitireti ti rẹ, paapaa ti o ba jẹ ifilọlẹ ti iṣaju, ipolowo kemikali kii yoo waye lori dada sobusitireti.
Ilana ifasẹyin yii ni a pe ni ifarapa ti ara ẹni ti o dada. Ilana ilana yii jẹ ki sisanra ti fiimu ti o dagba ni ọna kọọkan ti ilana ilana ALD nigbagbogbo, nitorinaa ilana ALD ni awọn anfani ti iṣakoso sisanra deede ati agbegbe igbesẹ fiimu ti o dara.
3.10 Molecular tan ina Epitaxy Equipment
Eto Epitaxy Molecular Beam Epitaxy (MBE) n tọka si ẹrọ apọju ti o nlo ọkan tabi diẹ ẹ sii awọn ina atomiki agbara gbona tabi awọn opo molikula lati fun sokiri sori dada sobusitireti ti o gbona ni iyara kan labẹ awọn ipo igbale giga-giga, ati adsorb ati jade lori ilẹ sobusitireti. si epitaxially dagba nikan gara tinrin fiimu pẹlú awọn kirisita axis itọsọna ti awọn sobusitireti ohun elo. Ni gbogbogbo, labẹ ipo alapapo nipasẹ ileru oko ofurufu pẹlu apata ooru, orisun ina naa ṣe tan ina atomiki tabi tan ina molikula kan, ati pe fiimu naa dagba ni ipele nipasẹ Layer lẹgbẹẹ itọsọna aksi gara ti ohun elo sobusitireti.
Awọn abuda rẹ jẹ iwọn otutu idagbasoke epitaxial kekere, ati sisanra, wiwo, akopọ kemikali ati ifọkansi aimọ le jẹ iṣakoso ni deede ni ipele atomiki. Botilẹjẹpe MBE ti ipilẹṣẹ lati igbaradi ti semikondokito olekenka-tinrin awọn fiimu garawa kanṣoṣo, ohun elo rẹ ti gbooro bayi si ọpọlọpọ awọn eto ohun elo bii awọn irin ati awọn dielectrics insulating, ati pe o le mura III-V, II-VI, silikoni, germanium silikoni (SiGe). graphene, oxides ati Organic fiimu.
Eto epitaxy ti molikula (MBE) ni akọkọ ti o ni eto igbale giga-giga, orisun tan ina molikula kan, atunse sobusitireti ati eto alapapo, eto gbigbe apẹẹrẹ, eto ibojuwo inu-ile, eto iṣakoso, ati idanwo kan. eto.
Eto igbale naa pẹlu awọn ifasoke igbale (awọn ifasoke ẹrọ, awọn ifasoke molikula, awọn ifasoke ion, ati awọn ifasoke ifunmọ, ati bẹbẹ lọ) ati ọpọlọpọ awọn falifu, eyiti o le ṣẹda agbegbe idagbasoke igbale giga-giga. Iwọn igbale ti o ṣee ṣe ni gbogbogbo jẹ 10-8 si 10-11 Torr. Eto igbale nipataki ni awọn iyẹwu iṣẹ igbale mẹta, eyun iyẹwu abẹrẹ ayẹwo, iyẹwu iṣaju ati iyẹwu itupalẹ oju, ati iyẹwu idagbasoke.
Iyẹwu abẹrẹ ayẹwo ni a lo lati gbe awọn ayẹwo si aye ita lati rii daju awọn ipo igbale giga ti awọn iyẹwu miiran; awọn pretreatment ati dada onínọmbà iyẹwu so awọn ayẹwo yara abẹrẹ ati awọn idagba iyẹwu, ati awọn oniwe-akọkọ iṣẹ ni lati ṣaju-ilana awọn ayẹwo (ga-iwọn otutu degassing lati rii daju awọn pipe mimọ ti awọn sobusitireti dada) ati lati ṣe alakoko dada onínọmbà lori awọn ayẹwo mimọ; Iyẹwu idagba jẹ apakan mojuto ti eto MBE, ni akọkọ ti o jẹ ti ileru orisun ati apejọ tiipa ti o baamu, console iṣakoso apẹẹrẹ, eto itutu agbaiye, itusilẹ agbara elekitironi giga (RHEED), ati eto ibojuwo inu-ile . Diẹ ninu awọn ohun elo MBE iṣelọpọ ni awọn atunto iyẹwu idagbasoke lọpọlọpọ. Aworan atọka ti eto ohun elo MBE jẹ afihan ni isalẹ:
MBE ti ohun elo ohun alumọni nlo ohun alumọni mimọ-giga bi ohun elo aise, dagba labẹ awọn ipo igbale giga-giga (10-10 ~ 10-11Torr), ati iwọn otutu idagba jẹ 600 ~ 900℃, pẹlu Ga (P-type) ati Sb ( N-type) bi awọn orisun doping. Awọn orisun doping ti o wọpọ gẹgẹbi P, As ati B kii ṣe lilo bi awọn orisun tan ina nitori pe wọn nira lati yọ kuro.
Iyẹwu ifarabalẹ ti MBE ni agbegbe igbale giga-giga, eyiti o pọ si ọna ọfẹ ti awọn ohun elo ati dinku ibajẹ ati ifoyina lori dada ohun elo dagba. Awọn ohun elo epitaxial ti a pese sile ni imọ-ara dada ti o dara ati isokan, ati pe o le ṣe sinu eto multilayer pẹlu oriṣiriṣi doping tabi awọn ohun elo oriṣiriṣi.
Imọ ọna ẹrọ MBE ṣaṣeyọri idagbasoke ti o leralera ti awọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial ultra-tinrin pẹlu sisanra ti Layer atomiki kan, ati wiwo laarin awọn ipele epitaxial jẹ giga. O ṣe agbega idagbasoke ti awọn semikondokito III-V ati awọn ohun elo eleto-ọpọlọpọ miiran. Lọwọlọwọ, eto MBE ti di ohun elo ilana ilọsiwaju fun iṣelọpọ iran tuntun ti awọn ẹrọ makirowefu ati awọn ẹrọ optoelectronic. Awọn aila-nfani ti imọ-ẹrọ MBE jẹ oṣuwọn idagbasoke fiimu ti o lọra, awọn ibeere igbale giga, ati ohun elo giga ati awọn idiyele lilo ohun elo.
3.11 Vapor Phase Apọju System
Eto epitaxy alakoso oru (VPE) n tọka si ohun elo idagbasoke epitaxial ti o gbe awọn agbo ogun gaseous lọ si sobusitireti kan ati pe o gba Layer ohun elo gara kan kan pẹlu iṣeto lattice kanna gẹgẹbi sobusitireti nipasẹ awọn aati kemikali. Layer epitaxial le jẹ homoepitaxial Layer (Si / Si) tabi heteroepitaxial Layer (SiGe / Si, SiC / Si, GaN / Al2O3, bbl). Lọwọlọwọ, imọ-ẹrọ VPE ti ni lilo pupọ ni awọn aaye ti igbaradi nanomaterial, awọn ẹrọ agbara, awọn ẹrọ optoelectronic semikondokito, awọn fọtovoltaics oorun, ati awọn iyika iṣọpọ.
Aṣoju VPE pẹlu epitaxy titẹ oju aye ati idinku titẹ epitaxy, ultra-high vacuum vacuum vapor vapor , Irin Organic vapor vapor iwadi, bbl Awọn aaye pataki ninu imọ-ẹrọ VPE jẹ apẹrẹ iyẹwu idahun, ipo ṣiṣan gaasi ati isokan, iṣọkan iwọn otutu ati iṣakoso konge, iṣakoso titẹ ati iduroṣinṣin, patiku ati iṣakoso abawọn, ati bẹbẹ lọ.
Ni bayi, itọsọna idagbasoke ti awọn ọna ṣiṣe VPE iṣowo akọkọ jẹ ikojọpọ wafer nla, iṣakoso ni kikun, ati ibojuwo akoko gidi ti iwọn otutu ati ilana idagbasoke. Awọn eto VPE ni awọn ẹya mẹta: inaro, petele ati iyipo. Awọn ọna alapapo pẹlu alapapo resistance, alapapo fifa irọbi giga-giga ati alapapo itanna infurarẹẹdi.
Ni bayi, awọn eto VPE julọ lo awọn ẹya disiki petele, eyiti o ni awọn abuda ti iṣọkan ti o dara ti idagbasoke fiimu epitaxial ati ikojọpọ wafer nla. Awọn eto VPE nigbagbogbo ni awọn ẹya mẹrin: riakito, eto alapapo, eto ọna gaasi ati eto iṣakoso. Nitoripe akoko idagbasoke ti GaAs ati awọn fiimu epitaxial GaN jẹ gigun, alapapo fifa irọbi ati alapapo resistance jẹ lilo pupọ julọ. Ni ohun alumọni VPE, idagbasoke fiimu epitaxial ti o nipọn julọ nlo alapapo fifa irọbi; Tinrin fiimu epitaxial idagbasoke okeene lo infurarẹẹdi alapapo lati se aseyori idi ti dekun otutu dide / isubu.
3.12 Liquid Alakoso Apọju System
Eto Epitaxy Alakoso Liquid (LPE) tọka si ohun elo idagbasoke epitaxial ti o tu ohun elo ti yoo dagba (bii Si, Ga, As, Al, bbl) ati awọn dopants (bii Zn, Te, Sn, ati bẹbẹ lọ) ni a irin pẹlu aaye yo kekere kan (gẹgẹbi Ga, In, ati bẹbẹ lọ), ki solute naa ti kun tabi ti o pọ ju ninu epo, ati lẹhinna kan sobusitireti gara kan ni a kan si. pẹlu ojutu, ati awọn solute ti wa ni precipitated lati epo nipa maa itutu si isalẹ, ati ki o kan Layer ti gara ohun elo pẹlu kan gara be ati latissi ibakan iru si ti awọn sobusitireti ti wa ni po lori dada ti awọn sobusitireti.
Ọna LPE ni a dabaa nipasẹ Nelson et al. ni 1963. O ti wa ni lo lati dagba Si tinrin fiimu ati ki o nikan gara ohun elo, bi daradara bi semikondokito awọn ohun elo bi III-IV awọn ẹgbẹ ati mercury cadmium telluride, ati ki o le ṣee lo lati ṣe orisirisi optoelectronic awọn ẹrọ, makirowefu ẹrọ, semikondokito awọn ẹrọ ati oorun ẹyin. .
—————————————————————————————————————————————————————— ———————————-
Semicera le peselẹẹdi awọn ẹya ara, asọ / kosemi ro, ohun alumọni carbide awọn ẹya ara, CVD ohun alumọni carbide awọn ẹya ara, atiSiC / TaC ti a bo awọn ẹya arapẹlu ni 30 ọjọ.
Ti o ba nifẹ si awọn ọja semikondokito loke,jọwọ ma ṣe ṣiyemeji lati kan si wa ni igba akọkọ.
Tẹli: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹjọ-31-2024