Tantalum carbide (TaC)jẹ ohun elo seramiki ti o ni iwọn otutu ti o ga julọ pẹlu awọn anfani ti aaye yo giga, líle giga, iduroṣinṣin kemikali ti o dara, itanna to lagbara ati adaṣe igbona, bbl Nitorina,TaC ti a bole ṣee lo bi ibora-sooro ablation, ibora-sooro ifoyina, ati bora-sooro, ati pe a lo ni lilo pupọ ni aabo igbona afẹfẹ, iran-kẹta semikondokito kristali ẹyọkan, ẹrọ itanna agbara ati awọn aaye miiran.
Ilana:
Tantalum carbide (TaC)jẹ iru ohun elo seramiki ti o ni iwọn otutu ti o ga pupọ pẹlu awọn anfani ti aaye yo giga, líle giga, iduroṣinṣin kemikali ti o dara, itanna to lagbara ati adaṣe igbona. Nítorí náà,TaC ti a bole ṣee lo bi ibora-sooro ablation, ibora-sooro ifoyina, ati bora-sooro, ati pe a lo ni lilo pupọ ni aabo igbona afẹfẹ, iran-kẹta semikondokito kristali ẹyọkan, ẹrọ itanna agbara ati awọn aaye miiran.
Ìsọdipúpọ̀ inú ti àwọn aṣọ:
A lo ọna slurry-sintering lati muraAwọn ideri TaCti o yatọ si sisanra lori lẹẹdi sobsitireti ti awọn orisirisi titobi. Ni akọkọ, iyẹfun mimọ-giga ti o ni orisun Ta ati orisun C ti wa ni tunto pẹlu dispersant ati binder lati ṣe agbekalẹ aṣọ-aṣọ kan ati iduroṣinṣin ṣaaju slurry. Ni akoko kanna, ni ibamu si awọn iwọn ti lẹẹdi awọn ẹya ara ati awọn sisanra awọn ibeere tiTaC ti a bo, Awọn aso-iṣaaju ti a ti pese sile nipasẹ sisọ, fifun, infiltration ati awọn fọọmu miiran. Lakotan, o gbona si oke 2200 ℃ ni agbegbe igbale lati mura aṣọ kan, ipon, ipele ẹyọkan, ati crystalline daradara.TaC ti a bo.
Ìsọdipúpọ̀ inú ti àwọn aṣọ:
Awọn sisanra tiTaC ti a bojẹ nipa 10-50 μm, awọn oka naa dagba ni iṣalaye ọfẹ, ati pe o jẹ ti TaC pẹlu eto onigun ti o dojukọ oju-ọna kanṣoṣo, laisi awọn idoti miiran; awọn ti a bo jẹ ipon, awọn be ni pipe, ati awọn crystallinity jẹ ga.TaC ti a bole kún awọn pores lori dada ti lẹẹdi, ati awọn ti o ti wa ni chemically bonded si awọn lẹẹdi matrix pẹlu ga imora agbara. Awọn ipin ti Ta to C ninu awọn ti a bo ti wa ni sunmo si 1:1. Itọkasi wiwa mimọ GDMS boṣewa ASTM F1593, ifọkansi aimọ ko kere ju 121ppm. Iyapa tumọ iṣiro (Ra) ti profaili ti a bo jẹ 662nm.
Awọn ohun elo gbogbogbo:
GaN atiSiC epitaxialAwọn paati riakito CVD, pẹlu awọn gbigbe wafer, awọn awopọ satẹlaiti, awọn ori iwẹ, awọn ideri oke ati awọn alailagbara.
SiC, GaN ati awọn paati idagbasoke kirisita AlN, pẹlu awọn ohun-ọṣọ, awọn dimu kristali irugbin, awọn itọsọna ṣiṣan ati awọn asẹ.
Awọn paati ile-iṣẹ, pẹlu awọn eroja alapapo resistive, nozzles, awọn oruka idabobo ati awọn imuduro brazing.
Awọn ẹya pataki:
Iduroṣinṣin otutu ni 2600 ℃
Pese aabo ipo-duroṣinṣin ni awọn agbegbe kemikali lile ti H2, NH3, SiH4ati Si oru
Dara fun iṣelọpọ ibi-pẹlu awọn akoko iṣelọpọ kukuru.
