4″ Gallium Oxide Sobsitireti

Apejuwe kukuru:

4″ Gallium Oxide Sobsitireti- Ṣii awọn ipele titun ti ṣiṣe ati iṣẹ ni ẹrọ itanna agbara ati awọn ẹrọ UV pẹlu Semicera ti o ga julọ 4 ″ Gallium Oxide Sobsitireti, apẹrẹ fun gige-eti awọn ohun elo semikondokito.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicerainu didun ṣafihan awọn oniwe-4" Gallium Oxide sobsitireti, Awọn ohun elo ti o ni ipilẹ ti a ṣe atunṣe lati pade awọn ibeere ti ndagba ti awọn ẹrọ semikondokito ti o ga julọ. Gallium oxide (Ga2O3) awọn sobusitireti funni ni bandgap jakejado, ti o jẹ ki wọn jẹ apẹrẹ fun ẹrọ itanna agbara iran-tẹle, UV optoelectronics, ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga.

 

Awọn ẹya pataki:

• Ultra-Wide Bandgap: Awon4" Gallium Oxide sobsitiretiIṣogo bandgap ti isunmọ 4.8 eV, gbigba fun foliteji alailẹgbẹ ati ifarada iwọn otutu, ni pataki ju awọn ohun elo semikondokito ibile bii ohun alumọni.

Ga didenukole Foliteji: Awọn sobusitireti wọnyi jẹ ki awọn ẹrọ ṣiṣẹ ni awọn foliteji ti o ga julọ ati awọn agbara, ṣiṣe wọn ni pipe fun awọn ohun elo foliteji giga ni ẹrọ itanna agbara.

Superior Gbona iduroṣinṣin: Awọn sobusitireti Gallium Oxide nfunni ni imudara igbona ti o dara julọ, aridaju iṣẹ iduroṣinṣin labẹ awọn ipo to gaju, apẹrẹ fun lilo ninu awọn agbegbe ti o nbeere.

Didara ohun elo giga: Pẹlu awọn iwuwo abawọn kekere ati didara gaasi giga, awọn sobsitireti wọnyi ṣe idaniloju iṣẹ ṣiṣe ti o ni igbẹkẹle ati imudara, imudara ṣiṣe ati agbara ti awọn ẹrọ rẹ.

Ohun elo Wapọ: Dara fun ọpọlọpọ awọn ohun elo, pẹlu awọn transistors agbara, Schottky diodes, ati awọn ẹrọ LED UV-C, ṣiṣe awọn imotuntun ni agbara mejeeji ati awọn aaye optoelectronic.

 

Ṣawari ọjọ iwaju ti imọ-ẹrọ semikondokito pẹlu Semicera's4" Gallium Oxide sobsitireti. Awọn sobusitireti wa ni a ṣe lati ṣe atilẹyin awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju julọ, pese igbẹkẹle ati ṣiṣe ti o nilo fun awọn ẹrọ gige-eti loni. Gbekele Semicera fun didara ati ĭdàsĭlẹ ninu awọn ohun elo semikondokito rẹ.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ijagun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli Orange / Pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / fifọ / awọn awo hex

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akojọpọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: