4 Inch N-Iru SiC Sobusitireti

Apejuwe kukuru:

Semicera's 4 Inch N-type SiC Substrates jẹ apẹrẹ ni pataki fun itanna ti o ga julọ ati iṣẹ igbona ni ẹrọ itanna agbara ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga. Awọn sobusitireti wọnyi nfunni ni adaṣe ti o dara julọ ati iduroṣinṣin, ṣiṣe wọn jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ semikondokito iran atẹle. Trust Semicera fun konge ati didara ni to ti ni ilọsiwaju ohun elo.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicera's 4 Inch N-type SiC Substrates jẹ iṣelọpọ lati pade awọn iṣedede deede ti ile-iṣẹ semikondokito. Awọn sobusitireti wọnyi n pese ipilẹ iṣẹ ṣiṣe giga fun ọpọlọpọ awọn ohun elo itanna, ti o funni ni adaṣe iyasọtọ ati awọn ohun-ini gbona.

N-Iru doping ti awọn sobusitireti SiC wọnyi mu iṣiṣẹ itanna eletiriki wọn pọ si, ṣiṣe wọn ni pataki ni pataki fun agbara-giga ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga. Ohun-ini yii ngbanilaaye fun iṣẹ ṣiṣe daradara ti awọn ẹrọ bii diodes, transistors, ati awọn ampilifaya, nibiti idinku pipadanu agbara jẹ pataki.

Semicera nlo awọn ilana iṣelọpọ ipo-ti-aworan lati rii daju pe sobusitireti kọọkan ṣe afihan didara dada ti o dara julọ ati isokan. Itọkasi yii ṣe pataki fun awọn ohun elo ninu ẹrọ itanna agbara, awọn ẹrọ makirowefu, ati awọn imọ-ẹrọ miiran ti o beere iṣẹ ṣiṣe igbẹkẹle labẹ awọn ipo to gaju.

Iṣakojọpọ awọn sobusitireti N-Iru SiC Semicera sinu laini iṣelọpọ rẹ tumọ si anfani lati awọn ohun elo ti o funni ni itusilẹ ooru ti o ga julọ ati iduroṣinṣin itanna. Awọn sobusitireti wọnyi jẹ apẹrẹ fun ṣiṣẹda awọn paati ti o nilo agbara ati ṣiṣe, gẹgẹbi awọn eto iyipada agbara ati awọn amplifiers RF.

Nipa yiyan Semicera's 4 Inch N-type SiC Substrates, o n ṣe idoko-owo sinu ọja kan ti o ṣajọpọ imọ-jinlẹ ohun elo imotuntun pẹlu iṣẹ-ọnà to nipọn. Semicera tẹsiwaju lati ṣe amọna ile-iṣẹ nipasẹ ipese awọn solusan ti o ṣe atilẹyin idagbasoke ti awọn imọ-ẹrọ semikondokito gige-eti, ni idaniloju iṣẹ ṣiṣe giga ati igbẹkẹle.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ijagun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli Orange / Pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / fifọ / awọn awo hex

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akojọpọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: