Ga2O3 Apọju

Apejuwe kukuru:

Ga2O3Apọju- Ṣe ilọsiwaju itanna agbara giga rẹ ati awọn ẹrọ optoelectronic pẹlu Semicera's Ga2O3Epitaxy, nfunni iṣẹ ti ko ni ibamu ati igbẹkẹle fun awọn ohun elo semikondokito to ti ni ilọsiwaju.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicerainu didun ipeseGa2O3Apọju, Ojutu-ti-ti-aworan ti a ṣe lati titari awọn aala ti awọn ẹrọ itanna agbara ati optoelectronics. Imọ-ẹrọ epitaxial to ti ni ilọsiwaju yii nmu awọn ohun-ini alailẹgbẹ ti Gallium Oxide (Ga2O3) lati pese iṣẹ ti o ga julọ ni awọn ohun elo ibeere.

Awọn ẹya pataki:

• Iyatọ Wide Bandgap: Ga2O3Apọjuẹya olekenka-jakejado bandgap, gbigba fun awọn ti o ga didenukole foliteji ati lilo daradara ni awọn agbegbe agbara-giga.

Ga Gbona Conductivity: Layer epitaxial n pese imudani ti o dara julọ ti o dara julọ, ṣiṣe iṣeduro iṣẹ iduroṣinṣin paapaa labẹ awọn ipo iwọn otutu ti o ga julọ, ti o jẹ ki o dara fun awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga.

Didara ohun elo ti o ga julọ: Ṣe aṣeyọri didara gara ti o ga pẹlu awọn abawọn to kere julọ, ni idaniloju iṣẹ ẹrọ ti o dara julọ ati igbesi aye gigun, paapaa ni awọn ohun elo to ṣe pataki gẹgẹbi awọn transistors agbara ati awọn aṣawari UV.

Versatility ni Awọn ohun elo: Ni pipe ti o baamu fun ẹrọ itanna agbara, awọn ohun elo RF, ati optoelectronics, pese ipilẹ ti o ni igbẹkẹle fun awọn ẹrọ semikondokito iran atẹle.

 

Iwari o pọju tiGa2O3Apọjupẹlu Semicera ká aseyori solusan. Awọn ọja epitaxial wa ni a ṣe lati pade awọn ipele ti o ga julọ ti didara ati iṣẹ, ṣiṣe awọn ẹrọ rẹ lati ṣiṣẹ pẹlu ṣiṣe ti o pọju ati igbẹkẹle. Yan Semicera fun imọ-ẹrọ semikondokito gige-eti.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ijagun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli Orange / Pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / fifọ / awọn awo hex

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akojọpọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: