Semicera jẹ lọpọlọpọ lati mu awọnGa2O3Sobusitireti, ohun elo gige-eti ti o mura lati yi iyipada agbara itanna ati optoelectronics.Gallium oxide (Ga2O3) sobsitiretiti wa ni mo fun won olekenka-jakejado bandgap, ṣiṣe awọn wọn apẹrẹ fun ga-agbara ati ki o ga-igbohunsafẹfẹ ẹrọ.
Awọn ẹya pataki:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 nfunni ni bandgap kan ti isunmọ 4.8 eV, ni ilọsiwaju agbara rẹ lati mu awọn foliteji giga ati awọn iwọn otutu ni akawe si awọn ohun elo ibile bii Silicon ati GaN.
• High didenukole foliteji: Pẹlu ohun exceptional didenukole aaye, awọnGa2O3Sobusitiretijẹ pipe fun awọn ẹrọ ti o nilo iṣẹ-giga-foliteji, aridaju ṣiṣe ti o pọju ati igbẹkẹle.
• Iduroṣinṣin Ooru: Iduroṣinṣin igbona ti o ga julọ ti ohun elo jẹ ki o dara fun awọn ohun elo ni awọn agbegbe to gaju, mimu iṣẹ ṣiṣe paapaa labẹ awọn ipo lile.
• Awọn ohun elo Wapọ: Apẹrẹ fun lilo ninu awọn transistors agbara ti o ga julọ, awọn ẹrọ optoelectronic UV, ati diẹ sii, pese ipilẹ to lagbara fun awọn eto itanna to ti ni ilọsiwaju.
Ni iriri ọjọ iwaju ti imọ-ẹrọ semikondokito pẹlu Semicera'sGa2O3Sobusitireti. Ti a ṣe apẹrẹ lati pade awọn ibeere ti ndagba ti agbara-giga ati ẹrọ itanna igbohunsafẹfẹ-giga, sobusitireti yii ṣeto boṣewa tuntun fun iṣẹ ṣiṣe ati agbara. Gbekele Semicera lati ṣafipamọ awọn solusan imotuntun fun awọn ohun elo ti o nija julọ.
| Awọn nkan | Ṣiṣejade | Iwadi | Idiwon |
| Crystal paramita | |||
| Polytype | 4H | ||
| Dada Iṣalaye aṣiṣe | <11-20>4±0.15° | ||
| Itanna paramita | |||
| Dopant | n-iru Nitrogen | ||
| Resistivity | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| Awọn paramita ẹrọ | |||
| Iwọn opin | 150.0 ± 0.2mm | ||
| Sisanra | 350± 25 μm | ||
| Iṣalaye alapin akọkọ | [1-100]±5° | ||
| Ipari alapin akọkọ | 47,5 ± 1.5mm | ||
| Atẹle alapin | Ko si | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Teriba | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ogun | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Iwaju (Si-oju) líle (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Ilana | |||
| iwuwo Micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Irin impurities | ≤5E10atomu/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Didara iwaju | |||
| Iwaju | Si | ||
| Ipari dada | Si-oju CMP | ||
| Awọn patikulu | ≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm) | NA | |
| Scratches | ≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin | Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA |
| Peeli osan / pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti | Ko si | NA | |
| Awọn eerun eti / indents / ṣẹ egungun / hex farahan | Ko si | ||
| Awọn agbegbe Polytype | Ko si | Agbegbe akojo≤20% | Agbegbe akopọ≤30% |
| Iwaju lesa siṣamisi | Ko si | ||
| Didara Pada | |||
| Pada pari | C-oju CMP | ||
| Scratches | ≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin | NA | |
| Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents) | Ko si | ||
| Pada roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Pada lesa siṣamisi | 1 mm (lati eti oke) | ||
| Eti | |||
| Eti | Chamfer | ||
| Iṣakojọpọ | |||
| Iṣakojọpọ | Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale Olona-wafer kasẹti apoti | ||
| * Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD. | |||
