Ga2O3 sobusitireti

Apejuwe kukuru:

Ga2O3Sobusitireti- Ṣii awọn aye tuntun ni ẹrọ itanna agbara ati optoelectronics pẹlu Semicera's Ga2O3Sobusitireti, ti a ṣe adaṣe fun iṣẹ ailẹgbẹ ni iwọn-giga ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga.


Alaye ọja

ọja Tags

Semicera jẹ lọpọlọpọ lati mu awọnGa2O3Sobusitireti, ohun elo gige-eti ti o mura lati yi iyipada agbara itanna ati optoelectronics.Gallium oxide (Ga2O3) sobsitiretiti wa ni mo fun won olekenka-jakejado bandgap, ṣiṣe awọn wọn apẹrẹ fun ga-agbara ati ki o ga-igbohunsafẹfẹ ẹrọ.

 

Awọn ẹya pataki:

• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 nfunni ni bandgap kan ti isunmọ 4.8 eV, ni ilọsiwaju agbara rẹ lati mu awọn foliteji giga ati awọn iwọn otutu ni akawe si awọn ohun elo ibile bii Silicon ati GaN.

• High didenukole foliteji: Pẹlu ohun exceptional didenukole aaye, awọnGa2O3Sobusitiretijẹ pipe fun awọn ẹrọ ti o nilo iṣẹ-giga-foliteji, aridaju ṣiṣe ti o pọju ati igbẹkẹle.

• Iduroṣinṣin Ooru: Iduroṣinṣin igbona ti o ga julọ ti ohun elo jẹ ki o dara fun awọn ohun elo ni awọn agbegbe to gaju, mimu iṣẹ ṣiṣe paapaa labẹ awọn ipo lile.

• Awọn ohun elo Wapọ: Apẹrẹ fun lilo ninu awọn transistors agbara ti o ga julọ, awọn ẹrọ optoelectronic UV, ati diẹ sii, pese ipilẹ to lagbara fun awọn eto itanna to ti ni ilọsiwaju.

 

Ni iriri ọjọ iwaju ti imọ-ẹrọ semikondokito pẹlu Semicera'sGa2O3Sobusitireti. Ti a ṣe apẹrẹ lati pade awọn ibeere ti ndagba ti agbara-giga ati ẹrọ itanna igbohunsafẹfẹ-giga, sobusitireti yii ṣeto boṣewa tuntun fun iṣẹ ṣiṣe ati agbara. Gbekele Semicera lati ṣafipamọ awọn solusan imotuntun fun awọn ohun elo ti o nija julọ.

Awọn nkan

Ṣiṣejade

Iwadi

Idiwon

Crystal paramita

Polytype

4H

Dada Iṣalaye aṣiṣe

<11-20>4±0.15°

Itanna paramita

Dopant

n-iru Nitrogen

Resistivity

0.015-0.025ohm · cm

Awọn paramita ẹrọ

Iwọn opin

150.0 ± 0.2mm

Sisanra

350± 25 μm

Iṣalaye alapin akọkọ

[1-100]±5°

Ipari alapin akọkọ

47,5 ± 1.5mm

Atẹle alapin

Ko si

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Teriba

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ijagun

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Iwaju (Si-oju) líle (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Ilana

iwuwo Micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Irin impurities

≤5E10atomu/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Didara iwaju

Iwaju

Si

Ipari dada

Si-oju CMP

Awọn patikulu

≤60ea/wafer (iwọn≥0.3μm)

NA

Scratches

≤5ea/mm. Akopọ ipari ≤Iwọn ila opin

Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Peeli Orange / Pits / awọn abawọn / striations / dojuijako / idoti

Ko si

NA

Awọn eerun eti / indents / fifọ / awọn awo hex

Ko si

Awọn agbegbe Polytype

Ko si

Agbegbe akojo≤20%

Agbegbe akojọpọ≤30%

Iwaju lesa siṣamisi

Ko si

Didara Pada

Pada pari

C-oju CMP

Scratches

≤5ea/mm, Akopọ ipari≤2*Iwọn ila opin

NA

Awọn abawọn ẹhin (awọn eerun eti/awọn indents)

Ko si

Pada roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pada lesa siṣamisi

1 mm (lati eti oke)

Eti

Eti

Chamfer

Iṣakojọpọ

Iṣakojọpọ

Epi-ṣetan pẹlu apoti igbale

Olona-wafer kasẹti apoti

* Awọn akọsilẹ: "NA" tumọ si pe ko si ibeere Awọn nkan ti a ko mẹnuba le tọka si SEMI-STD.

tekinoloji_1_2_iwọn
SiC wafers

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: