IPIN/1
Crucible, imudani irugbin ati oruka itọsọna ni SiC ati AIN ileru garawa kan ṣoṣo ni a dagba nipasẹ ọna PVT
Gẹgẹbi a ṣe han ni Nọmba 2 [1], nigbati ọna gbigbe eefin ti ara (PVT) ti lo lati ṣeto SiC, kirisita irugbin wa ni agbegbe iwọn otutu ti o kere ju, ohun elo aise SiC wa ni agbegbe iwọn otutu ti o ga julọ (loke 2400).℃), ati awọn ohun elo aise decomposes lati gbe awọn SiXCy (nipataki pẹlu Si, SiC₂, Si₂C, ati bẹbẹ lọ).Ohun elo alakoso oru ni gbigbe lati agbegbe iwọn otutu ti o ga si irugbin gara ni agbegbe iwọn otutu kekere, forming irugbin arin, dagba, ati ti o npese nikan kirisita.Awọn ohun elo aaye gbigbona ti a lo ninu ilana yii, gẹgẹbi crucible, oruka itọsọna sisan, imudani kristali irugbin, yẹ ki o jẹ sooro si iwọn otutu giga ati pe kii yoo ba awọn ohun elo aise SiC jẹ ati awọn kirisita SiC ẹyọkan.Bakanna, awọn eroja alapapo ni idagba ti awọn kirisita ẹyọkan AlN nilo lati jẹ sooro si Al vapor, N₂ipata, ati pe o nilo lati ni iwọn otutu eutectic giga (pẹlu AlN) lati kuru akoko igbaradi gara.
A rii pe SiC [2-5] ati AlN [2-3] ti pese sile nipasẹTaC ti a boAwọn ohun elo aaye igbona lẹẹdi jẹ mimọ, o fẹrẹ ko si erogba (atẹgun, nitrogen) ati awọn impurities miiran, awọn abawọn eti diẹ, resistivity kere ni agbegbe kọọkan, ati iwuwo micropore ati iwuwo ọfin etching ti dinku pupọ (lẹhin KOH etching), ati didara gara ni ilọsiwaju pupọ.Ni afikun,TaC crucibleàdánù làìpẹ oṣuwọn jẹ fere odo, irisi jẹ ti kii-ti iparun, le ti wa ni tunlo (aye to 200h), le mu awọn Sustainable ati ṣiṣe ti iru nikan gara igbaradi.
EEYA.2. (a) Aworan atọka ti SiC nikan gara ingot ẹrọ dagba nipasẹ ọna PVT
(b) OkeTaC ti a boakọmọ irugbin (pẹlu irugbin SiC)
(c)TAC-ti a bo lẹẹdi guide oruka
IPIN/2
MOCVD GaN epitaxial Layer dagba igbona
Gẹgẹbi a ṣe han ni Nọmba 3 (a), idagbasoke MOCVD GaN jẹ imọ-ẹrọ idasile oru kẹmika kan nipa lilo ifaseyin jijẹ ara-ara lati dagba awọn fiimu tinrin nipasẹ idagba epitaxial vapor.Iṣe deede iwọn otutu ati isokan ninu iho jẹ ki ẹrọ igbona di paati mojuto pataki julọ ti ohun elo MOCVD.Boya awọn sobusitireti le jẹ kikan ni kiakia ati ni iṣọkan fun igba pipẹ (labẹ itutu agbaiye tun), iduroṣinṣin ni iwọn otutu giga (resistance si ipata gaasi) ati mimọ ti fiimu naa yoo ni ipa taara didara ti ifisilẹ fiimu, aitasera sisanra, ati awọn iṣẹ ti awọn ërún.
Lati le ni ilọsiwaju iṣẹ ṣiṣe ati ṣiṣe atunlo ti igbona ni eto idagbasoke MOCVD GaN,TAC-ti a bolẹẹdi ti ngbona ti a ni ifijišẹ ṣe.Ti a ṣe afiwe pẹlu GaN epitaxial Layer ti o dagba nipasẹ ẹrọ igbona aṣa (lilo awọ pBN), Layer epitaxial GaN ti o dagba nipasẹ ẹrọ igbona TaC ni o fẹrẹ jẹ ẹya gara kanna, iṣọkan sisanra, awọn abawọn inu, doping aimọ ati idoti.Ni afikun, awọnTaC ti a boni kekere resistivity ati kekere dada njade lara, eyi ti o le mu awọn ṣiṣe ati uniformity ti awọn ti ngbona, nitorina atehinwa agbara agbara ati ooru pipadanu.Awọn porosity ti awọn ti a bo le ti wa ni titunse nipa ṣiṣakoso awọn paramita ilana lati siwaju mu awọn Ìtọjú abuda kan ti awọn ti ngbona ati ki o fa awọn oniwe-iṣẹ aye [5].Awọn anfani wọnyi ṣeTaC ti a boAwọn igbona lẹẹdi yiyan ti o tayọ fun awọn eto idagbasoke MOCVD GaN.
EEYA.3. (a) Aworan atọka ti ẹrọ MOCVD fun idagbasoke Epitaxial GaN
(b) Olugbona lẹẹdi ti a bo TAC ti a fi sori ẹrọ ni iṣeto MOCVD, laisi ipilẹ ati akọmọ (aworan ti o nfihan ipilẹ ati akọmọ ni alapapo)
(c) gbigbona lẹẹdi ti a bo TAC lẹhin idagbasoke epitaxial 17 GaN.[6]
IPIN/3
Afunra ti a bo fun epitaxy(olugbe wafer)
Ti ngbe Wafer jẹ ẹya pataki igbekale ẹyaapakankan fun igbaradi ti SiC, AlN, GaN ati awọn miiran kilasi semikondokito wafers ati epitaxial wafer idagbasoke.Pupọ julọ awọn gbigbe wafer jẹ ti graphite ati ti a bo pẹlu ibora SiC lati koju ipata lati awọn gaasi ilana, pẹlu iwọn otutu epitaxial ti 1100 si 1600°C, ati resistance ipata ti ibora aabo ṣe ipa pataki ninu igbesi aye ti ngbe wafer.Awọn abajade fihan pe oṣuwọn ipata ti TaC jẹ awọn akoko 6 losokepupo ju SiC ni amonia otutu giga.Ni hydrogen iwọn otutu ti o ga, oṣuwọn ipata paapaa diẹ sii ju awọn akoko 10 lọra ju SiC lọ.
O ti jẹri nipasẹ awọn adanwo pe awọn atẹ ti o bo pẹlu TaC ṣe afihan ibaramu to dara ninu ilana ina bulu GaN MOCVD ati pe ko ṣe agbekalẹ awọn aimọ.Lẹhin awọn atunṣe ilana ti o lopin, awọn LED ti o dagba nipa lilo awọn gbigbe TaC ṣe afihan iṣẹ ṣiṣe kanna ati iṣọkan gẹgẹbi awọn gbigbe SiC ti aṣa.Nitorinaa, igbesi aye iṣẹ ti awọn pallets ti a bo TAC dara ju ti inki okuta igboro atiSiC ti a bolẹẹdi pallets.
Akoko ifiweranṣẹ: Mar-05-2024