Awọn Sobusitireti Silicon Carbide|Awọn Wafers SiC

Awọn Sobusitireti Silicon Carbide|Aworan Iṣafihan Awọn Wafers SiC

Apejuwe kukuru:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd jẹ olutaja oludari ti o amọja ni wafer ati awọn ohun elo semikondokito ilọsiwaju.A ṣe iyasọtọ lati pese didara giga, igbẹkẹle, ati awọn ọja tuntun si iṣelọpọ semikondokito, ile-iṣẹ fọtovoltaic ati awọn aaye miiran ti o jọmọ.

Laini ọja wa pẹlu awọn ọja graphite ti SiC/TaC ti a bo ati awọn ọja seramiki, ti o ni ọpọlọpọ awọn ohun elo bii silikoni carbide, silikoni nitride, ati oxide aluminiomu ati be be lo.

Ni bayi, awa nikan ni olupese lati pese mimọ 99.9999% SiC ti a bo ati 99.9% ohun alumọni ohun alumọni recrystallized.Iwọn ipari ti o pọju SiC ti a le ṣe 2640mm.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

Silicon carbide (SiC) ohun elo kirisita ẹyọkan ni iwọn aafo ẹgbẹ nla kan (~ Si awọn akoko 3), iba ina gbigbona giga (~ Si awọn akoko 3.3 tabi awọn akoko GaAs awọn akoko 10), oṣuwọn ijira itẹlọrun elekitironi giga (~ Awọn akoko 2.5), ina didenukole giga aaye (~ Si 10 igba tabi GaAs 5 igba) ati awọn miiran dayato si abuda.

Awọn ẹrọ SiC ni awọn anfani ti ko ni iyipada ni aaye ti iwọn otutu giga, titẹ giga, igbohunsafẹfẹ giga, awọn ẹrọ itanna agbara giga ati awọn ohun elo ayika ti o pọju gẹgẹbi afẹfẹ, ologun, agbara iparun, ati bẹbẹ lọ, ṣe fun awọn abawọn ti awọn ohun elo semikondokito ibile ni ilowo. awọn ohun elo, ati pe o di ọna akọkọ ti awọn semikondokito agbara.

4H-SiC Silicon carbide sobusitireti pato

Nkan 项目	Awọn pato
Polytype 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Iwọn opin 晶圆直径	2 inch \|3 inch \|4 inch \|6inch	2 inch \|3 inch \|4 inch \|6inch
Sisanra 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Iwa ihuwasi 导电类型	N – iru / Ologbele-idabobo N型导电片/ 半绝缘片	N – iru / Ologbele-idabobo N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Nitrogen) V (Vanadium)	N2 (Nitrogen) V (Vanadium)
Iṣalaye 晶向	Lori ipo <0001> Pa axis <0001> pa 4°	Lori ipo <0001> Pa axis <0001> pa 4°
Resistivity 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N)	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N)
Ìwọ̀n Múkìkí (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Teriba / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Dada 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Ipele 产品等级	Gbóògì / Iwadi ite	Gbóògì / Iwadi ite
Crystal Stacking ọkọọkan 堆积方式	ABCB	ABCABC
paramita latissi 晶格参数	a = 3.076A, c = 10.053A	a=3.073A, c=15.117A
Fun apẹẹrẹ/eV(Aafo-ọpa) 禁带宽度	3,27 eV	3.02 eV
ε(Dielectric Constant) 介电常数	9.6	9.66
Refraction Atọka 折射率	n0 = 2,719 ne = 2,777	n0 = 2.707, ko = 2.755

6H-SiC Silicon Carbide sobusitireti pato

Nkan 项目	Awọn pato
Polytype 晶型	6H-SiC
Iwọn opin 晶圆直径	4 inch \|6inch
Sisanra 厚度	350μm ~ 450μm
Iwa ihuwasi 导电类型	N – iru / Ologbele-idabobo N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2(Nitrogen) V (Vanadium)
Iṣalaye 晶向	<0001> pa 4°± 0.5°
Resistivity 电阻率	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (Irú 6H-N)
Ìwọ̀n Múkìkí (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Teriba / Warp 翘曲度	≤25 μm
Dada 表面处理	Si Oju: CMP, Epi-Ṣetan C Oju: Opitika Polish
Ipele 产品等级	Iwadi ite