GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| Galllium Arsenide sobsitireti

Apejuwe kukuru:

Semicera Energy Technology Co., Ltd jẹ olutaja oludari ti o amọja ni wafer ati awọn ohun elo semikondokito ilọsiwaju. A ṣe iyasọtọ lati pese didara giga, igbẹkẹle, ati awọn ọja tuntun si iṣelọpọ semikondokito, ile-iṣẹ fọtovoltaic ati awọn aaye miiran ti o jọmọ.

Laini ọja wa pẹlu awọn ọja graphite ti SiC/TaC ti a bo ati awọn ọja seramiki, ti o ni ọpọlọpọ awọn ohun elo bii silikoni carbide, silikoni nitride, ati oxide aluminiomu ati be be lo.

Ni bayi, awa nikan ni olupese lati pese mimọ 99.9999% SiC ti a bo ati 99.9% ohun alumọni carbide atunkọ. Iwọn ipari gigun ti SiC ti a le ṣe 2640mm.

 

Alaye ọja

ọja Tags

Awọn sobusitireti GaAs (1)

Awọn sobusitireti GaA ti pin si adaṣe ati idabobo ologbele, eyiti a lo ni lilo pupọ ni laser (LD), diode semikondokito ina-emitting diode (LED), lesa infurarẹẹdi ti o sunmọ, kuatomu daradara agbara agbara giga ati awọn paneli oorun ti o ga julọ. HEMT ati awọn eerun HBT fun radar, makirowefu, igbi millimeter tabi awọn kọnputa iyara giga-giga ati awọn ibaraẹnisọrọ opiti; Awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ redio fun ibaraẹnisọrọ alailowaya, 4G, 5G, ibaraẹnisọrọ satẹlaiti, WLAN.

Laipẹ, awọn sobusitireti gallium arsenide tun ti ni ilọsiwaju nla ni mini-LED, Micro-LED, ati LED pupa, ati pe a lo ni lilo pupọ ni awọn ohun elo wearable AR/VR.

Iwọn opin
晶片直径

50mm | 75mm | 100mm | 150mm

Ọna idagbasoke
生长方式

LEC液封直拉法
VGF垂直梯度凝固法

Wafer Sisanra
厚度

350 um ~ 625 um

Iṣalaye
晶向

<100> / <111> / <110> tabi awọn miiran

Conductive Iru
导电类型

P – iru / N – iru / Ologbele-idabobo

Iru / Dopant
掺杂剂

Zn / Si / undoped

Ifojusi ti ngbe
载流子浓度

1E17 ~ 5E19 cm-3

Resistivity ni RT
室温电阻率(ohm•cm)

≥1E7 fun SI

Gbigbe
迁移率(cm2/V• iṣẹju-aaya)

≥4000

EPD (Etch Pit Density)
腐蚀坑密度

100~1E5

TTV
总厚度变化

≤ 10 um

Teriba / Warp
翘曲度

≤20 um

Dada Ipari
表面

DSP/SSP

Lesa Mark
激光码

 

Ipele
等级

Epi didan ite / darí ite

Semicera Work ibi Ibi iṣẹ Semicera 2 Ẹrọ ẹrọ CNN processing, kemikali ninu, CVD bo Iṣẹ wa


  • Ti tẹlẹ:
  • Itele: